[實(shí)用新型]顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520116083.0
• 申請(qǐng)日: 2015-02-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204464285U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李瑛長(zhǎng);孫庚模;趙圣弼;樸帝薰;李昭珩;盧相淳;樸文鎬;李成秦;高承孝;鄭美真
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 樂(lè)金顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及一種在相同基板上具有兩種不同類(lèi)型的薄膜晶體管的薄膜晶體管基板及利用該薄膜晶體管基板的顯示裝置。

背景技術(shù)

如今，隨著信息化社會(huì)的發(fā)展，針對(duì)用以顯示信息的顯示裝置的需求正在增加。因此，開(kāi)發(fā)了多種平板顯示裝置(或FPD)以克服陰極射線管(或CRT)的缺點(diǎn)，例如重量高及體積大。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(或LCD)、等離子顯示面板(或PDP)、有機(jī)發(fā)光顯示裝置(或OLED)以及電泳顯示裝置(或ED)。

平板顯示裝置的顯示面板可以包括在以矩陣方式排列的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管的薄膜晶體管基板。例如，液晶顯示裝置(或LCD)通過(guò)利用電場(chǎng)控制液晶層的光透射率以表現(xiàn)視頻數(shù)據(jù)。有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的以矩陣方式設(shè)置的每一像素中形成了有機(jī)發(fā)光二極管，因此有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置通過(guò)產(chǎn)生正確受控的光以表現(xiàn)視頻數(shù)據(jù)。

作為自發(fā)光顯示裝置，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有響應(yīng)速度非常快、亮度非常高及視角大的優(yōu)點(diǎn)。利用了能量效率優(yōu)異的有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(或OLED)可分為無(wú)源矩陣型的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(或PMOLED)和有源矩陣型的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(或AMOLED)。

隨著個(gè)人用電子裝置更為普遍，正在積極開(kāi)發(fā)攜帶性及/或穿戴性的裝置。為了將顯示裝置應(yīng)用于攜帶用和/或可穿戴裝置中，所述裝置具有低消耗功率的特性。然而，利用目前為止開(kāi)發(fā)的技術(shù)，在獲得低消耗功率特性?xún)?yōu)異的裝置方面存在有限制。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了克服上述缺陷，本申請(qǐng)的目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜?晶體管基板，該薄膜晶體管基板在相同的基板上具有至少兩種特性彼此不同的薄膜晶體管。本申請(qǐng)的另一目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板具有通過(guò)最優(yōu)化的制造工藝及最少化的掩模工藝來(lái)形成的兩種不同類(lèi)型的薄膜晶體管。

為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N顯示裝置，包括：第一區(qū)域和第二區(qū)域；設(shè)置在第一區(qū)域的第一薄膜晶體管，包括多晶半導(dǎo)體層、在多晶半導(dǎo)體層上的第一柵極電極、第一源極電極以及第一漏極電極；設(shè)置在第二區(qū)域的第二薄膜晶體管，包括第二柵極電極、在第二柵極電極上的氧化物半導(dǎo)體層、第二源極電極以及第二漏極電極；氮化物層，位于所述顯示裝置除第二區(qū)域外的區(qū)域上，并覆蓋第一柵極電極；以及氧化物層，設(shè)置在第一柵極電極和第二柵極電極之上。

在一實(shí)施例中，所述顯示裝置還包括驅(qū)動(dòng)器，其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個(gè)設(shè)置在像素中，其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個(gè)設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)器。

在一實(shí)施例中，所述顯示裝置還包括覆蓋所述多晶半導(dǎo)體層的柵極絕緣層。

在一實(shí)施例中，所述第一柵極電極和第二柵極電極形成在所述柵極絕緣層上的同一層上。

在一實(shí)施例中，所述第二薄膜晶體管是用于選擇像素的開(kāi)關(guān)元件，所述第一薄膜晶體管是用于驅(qū)動(dòng)由第二薄膜晶體管選擇的像素的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)元件。

在一實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)器包括：輸出數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器；分配數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)電壓給數(shù)據(jù)線的多工器；以及輸出掃描脈沖給柵極線的柵極驅(qū)動(dòng)器；其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個(gè)設(shè)置在多工器和柵極驅(qū)動(dòng)器中的任何一個(gè)。

在一實(shí)施例中，所述第一源極電極設(shè)置在氧化物層上，并通過(guò)貫穿氧化物層、氮化物層和柵極絕緣層的源極接觸孔連接到多晶半導(dǎo)體層的一部分，所述第一漏極電極設(shè)置在氧化物層上，并通過(guò)貫穿氧化物層、氮化物層和柵極絕緣層的漏極接觸孔連接到多晶半導(dǎo)體層的另一部分，所述第二源極電極接觸所述氧化物層上的氧化物半導(dǎo)體層的一部分，所述第二漏極電極接觸所述氧化物層?上的氧化物半導(dǎo)體層的另一部分。

在一實(shí)施例中，所述氮化物層和氧化物層的每一個(gè)都具有的厚度。

在一實(shí)施例中，所述氮化物層設(shè)置在氧化物層之下。

在一實(shí)施例中，所述顯示裝置還包括在第一區(qū)域中設(shè)置在氮化物層和第一柵極電極之間的下氧化物層。

在一實(shí)施例中，所述氮化物層設(shè)置在氧化物層上。