[實用新型]顯示裝置有效
| 申請號: | 201520116083.0 | 申請日: | 2015-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN204464285U | 公開(公告)日: | 2015-07-08 |
| 發明(設計)人: | 李瑛長;孫庚模;趙圣弼;樸帝薰;李昭珩;盧相淳;樸文鎬;李成秦;高承孝;鄭美真 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
第一區域和第二區域;
設置在第一區域的第一薄膜晶體管,包括多晶半導體層、在多晶半導體層上的第一柵極電極、第一源極電極以及第一漏極電極;
設置在第二區域的第二薄膜晶體管,包括第二柵極電極、在第二柵極電極上的氧化物半導體層、第二源極電極以及第二漏極電極;
氮化物層,位于所述顯示裝置除第二區域外的區域上,并覆蓋第一柵極電極;以及
氧化物層,設置在第一柵極電極和第二柵極電極之上。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括驅動器,
其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個設置在像素中,以及
其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個設置在所述驅動器。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括覆蓋所述多晶半導體層的柵極絕緣層。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中所述第一柵極電極和第二柵極電極形成在所述柵極絕緣層上的同一層上。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述第二薄膜晶體管是用于選擇像素的開關元件,
其中所述第一薄膜晶體管是用于驅動由第二薄膜晶體管選擇的像素的有機發光二極管的驅動元件。
6.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中所述驅動器包括:
輸出數據電壓的數據驅動器;
分配數據驅動器的數據電壓給數據線的多工器;以及
輸出掃描脈沖給柵極線的柵極驅動器;
其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個設置在多工器和柵極驅動器中的任何一個。
7.根據權利要求3所述的顯示裝置,
其中所述第一源極電極設置在氧化物層上,并通過貫穿氧化物層、氮化物層和柵極絕緣層的源極接觸孔連接到多晶半導體層的一部分,
其中所述第一漏極電極設置在氧化物層上,并通過貫穿氧化物層、氮化物層和柵極絕緣層的漏極接觸孔連接到多晶半導體層的另一部分,
其中所述第二源極電極接觸所述氧化物層上的氧化物半導體層的一部分,以及
其中所述第二漏極電極接觸所述氧化物層上的氧化物半導體層的另一部分。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述氮化物層和氧化物層的每一個都具有至的厚度。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述氮化物層設置在氧化物層之下。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,還包括在第一區域中設置在氮化物層和第一柵極電極之間的下氧化物層。
11.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述氮化物層設置在氧化物層上。
12.一種顯示裝置,包括:
第一區域和第二區域;
設置在第一區域中且包括多晶半導體材料的第一半導體層;
覆蓋第一半導體層的柵極絕緣層;
設置在柵極絕緣層上并與第一半導體層重疊的第一柵極電極;
在第二區域中設置在柵極絕緣層上的第二柵極電極;
氮化物層,設置在所述顯示裝置除第二區域外的區域上,并覆蓋第一柵極電極;
覆蓋第一柵極電極和第二柵極電極的氧化物層;
在第二區域中設置在氧化物層上的第二半導體層,所述第二半導體層包括氧化物半導體材料并與第二柵極電極重疊;
設置在氧化物層上的第一源極電極和第一漏極電極;以及
設置在第二半導體層上的第二源極電極和第二漏極電極。
13.根據權利要求12所述的顯示裝置,其中所述第一半導體層、第一柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極構成第一薄膜晶體管;
其中所述第二半導體層、第二柵極電極、第二源極電極和第二漏極電極構成第二薄膜晶體管。
14.根據權利要求13所述的顯示裝置,還包括驅動器,
其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個設置在像素中,以及
其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個設置在所述驅動器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520116083.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





