[實用新型]薄膜晶體管基板

有效

• 申請號: 201520115400.7
• 申請日: 2015-02-25
• 公開（公告）號: CN204464281U
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發明（設計）人: 李瑛長;孫庚模;李昭珩;樸文鎬;李成秦
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本申請涉及一種在相同基板上具有兩種不同類型的薄膜晶體管的薄膜晶體管基板及利用該薄膜晶體管基板的顯示裝置。

背景技術

如今，隨著信息化社會的發展，針對用以顯示信息的顯示裝置的需求正在增加。因此，開發了多種平板顯示裝置(或FPD)以克服陰極射線管(或CRT)的缺點，例如重量高及體積大。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(或LCD)、等離子顯示面板(或PDP)、有機發光顯示裝置(或OLED)以及電泳顯示裝置(或ED)。

平板顯示裝置的顯示面板可以包括在以矩陣方式排列的像素區域內設置有薄膜晶體管的薄膜晶體管基板。例如，液晶顯示裝置(或LCD)通過利用電場控制液晶層的光透射率以表現視頻數據。有機發光二極管顯示裝置的以矩陣方式設置的每一像素中形成了有機發光二極管，因此有機發光二極管顯示裝置通過產生正確受控的光以表現視頻數據。

作為自發光顯示裝置，有機發光二極管顯示裝置具有響應速度非常快、亮度非常高及視角大的優點。利用了能量效率優異的有機發光二極管的有機發光二極管顯示裝置(或OLED)可分為無源矩陣型的有機發光二極管顯示裝置(或PMOLED)和有源矩陣型的有機發光二極管顯示裝置(或AMOLED)。

隨著個人用電子裝置更為普遍，正在積極開發攜帶性及/或穿戴性的裝置。為了將顯示裝置應用于攜帶用和/或可穿戴裝置中，所述裝置具有低消耗功率的特性。然而，利用目前為止開發的技術，在獲得低消耗功率特性優異的裝置方面存在有限制。

實用新型內容

為了克服上述缺陷，本申請的目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜?晶體管基板，該薄膜晶體管基板在相同的基板上具有至少兩種特性彼此不同的薄膜晶體管。本申請的另一目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板具有通過最優化的制造工藝及最少化的掩模工藝來形成的兩種不同類型的薄膜晶體管。

為了實現所述目的，本申請提出一種薄膜晶體管基板，其包括：基板；設置在所述基板上的第一薄膜晶體管，包括多晶半導體層、在所述多晶半導體層上的第一柵極電極、第一源極電極以及第一漏極電極；設置在所述基板上的第二薄膜晶體管，包括第二柵極電極、在所述第二柵極電極上的氧化物半導體層、第二源極電極以及第二漏極電極；以及包括氮化物層及在所述氮化物層上的氧化物層的中間絕緣層，所述中間絕緣層設置在所述第一柵極電極和第二柵極電極之上并在所述氧化物半導體層之下。

在一實施例中，所述薄膜晶體管基板還包括覆蓋所述多晶半導體層的柵極絕緣層。

在一實施例中，所述第一柵極電極和第二柵極電極形成在所述柵極絕緣層上。

在一實施例中，所述第一源極電極設置在中間絕緣層上，并通過貫穿中間絕緣層和柵極絕緣層的源極接觸孔連接到多晶半導體層的一部分，所述第一漏極電極設置在中間絕緣層上，并通過貫穿中間絕緣層和柵極絕緣層的漏極接觸孔連接到多晶半導體層的另一部分，所述第二源極電極接觸所述中間絕緣層上的氧化物半導體層的一部分，所述第二漏極電極接觸所述中間絕緣層上的氧化物半導體層的另一部分。

在一實施例中，所述氮化物層和氧化物層的每一個都具有至的厚度。

而且，本申請提出一種薄膜晶體管基板，其包括：基板；設置在基板上的包括多晶半導體材料的第一半導體層；覆蓋第一半導體層的柵極絕緣層；設置在柵極絕緣層上并與第一半導體層重疊的第一柵極電極；設置在柵極絕緣層上的第二柵極電極；中間絕緣層，包括氮化物層及在所述氮化物層上的氧化物層，所述中間絕緣層覆蓋第一柵極電極和第二柵極電極；設置在中間絕緣層上的包括氧化物半導體材料的第二半導體層，所述第二半導體層與第二柵極電極重疊；設置在中間絕緣層上的第一源極電極和第一漏極電極；以及設置在第二半?導體層上的第二源極電極和第二漏極電極。

在一實施例中，所述第一源極電極通過貫穿中間絕緣層和柵極絕緣層的源極接觸孔連接到第一半導體層的一部分，所述第一漏極電極通過貫穿中間絕緣層和柵極絕緣層的漏極接觸孔連接到第一半導體層的另一部分，所述第二源極電極接觸第二半導體層的一部分，所述第二漏極電極接觸第二半導體層的另一部分。

在一實施例中，所述氮化物層和氧化物層的每一個都具有至的厚度。

在一實施例中，所述中間絕緣層還包括在氮化物層之下和在第一及第二柵極電極之上的下氧化物層。