[實用新型]薄膜晶體管基板

有效

• 申請號: 201520115400.7
• 申請日: 2015-02-25
• 公開（公告）號: CN204464281U
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發明（設計）人: 李瑛長;孫庚模;李昭珩;樸文鎬;李成秦
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種薄膜晶體管基板，其特征是，所述薄膜晶體管基板包括：

基板；

設置在所述基板上的第一薄膜晶體管，包括多晶半導體層、在所述多晶半導體層上的第一柵極電極、第一源極電極以及第一漏極電極；

設置在所述基板上的第二薄膜晶體管，包括第二柵極電極、在所述第二柵極電極上的氧化物半導體層、第二源極電極以及第二漏極電極；以及

包括氮化物層及在所述氮化物層上的氧化物層的中間絕緣層，所述中間絕緣層設置在第一柵極電極和第二柵極電極之上并在所述氧化物半導體層之下。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括覆蓋所述多晶半導體層的柵極絕緣層。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中所述第一柵極電極和第二柵極電極形成在所述柵極絕緣層上。

4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，

其中所述第一源極電極設置在中間絕緣層上，并通過貫穿中間絕緣層和柵極絕緣層的源極接觸孔連接到多晶半導體層的一部分，

其中所述第一漏極電極設置在中間絕緣層上，并通過貫穿中間絕緣層和柵極絕緣層的漏極接觸孔連接到多晶半導體層的另一部分，

其中所述第二源極電極接觸所述中間絕緣層上的氧化物半導體層的一部分，以及

其中所述第二漏極電極接觸所述中間絕緣層上的氧化物半導體層的另一部分。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，

其中所述氮化物層和氧化物層的每一個都具有至的厚度。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中所述中間絕緣層還包括在氮化物層之下和在第一及第二柵極電極之上的下氧化物層。

7.一種薄膜晶體管基板，其特征是，所述薄膜晶體管基板包括：

基板；

設置在基板上的包括多晶半導體材料的第一半導體層；

覆蓋第一半導體層的柵極絕緣層；

設置在柵極絕緣層上并與第一半導體層重疊的第一柵極電極；

設置在柵極絕緣層上的第二柵極電極；

中間絕緣層，包括氮化物層及在所述氮化物層上的氧化物層，所述中間絕緣層覆蓋第一柵極電極和第二柵極電極；

設置在中間絕緣層上的包括氧化物半導體材料的第二半導體層，所述第二半導體層與第二柵極電極重疊；

設置在中間絕緣層上的第一源極電極和第一漏極電極；以及

設置在第二半導體層上的第二源極電極和第二漏極電極。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管基板，

其中所述第一源極電極通過貫穿中間絕緣層和柵極絕緣層的源極接觸孔連接到第一半導體層的一部分，

其中所述第一漏極電極通過貫穿中間絕緣層和柵極絕緣層的漏極接觸孔連接到第一半導體層的另一部分，

其中所述第二源極電極接觸第二半導體層的一部分，以及

其中所述第二漏極電極接觸第二半導體層的另一部分。

9.根據權利要求7所述的薄膜晶體管基板，

其中所述氮化物層和氧化物層的每一個都具有至的厚度。

10.根據權利要求7所述的薄膜晶體管基板，其中所述中間絕緣層還包括在氮化物層之下和在第一及第二柵極電極之上的下氧化物層。