[實用新型]倒裝芯片框架半蝕刻結構有效
| 申請號: | 201520097171.0 | 申請日: | 2015-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN204516753U | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 周麗;龔臻;張珊;邵向廉 | 申請(專利權)人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒裝 芯片 框架 蝕刻 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種倒裝芯片框架半蝕刻結構,屬于集成電路或分立元件封裝技術領域。
背景技術
目前行業內的倒裝芯片框架在不在芯片下方做正面半蝕刻,因此當倒裝芯片框架設計大芯片的時候因模流受阻,存在塑封料填充不良的情況(如圖1所示)。
發明內容
本實用新型的目的在于克服上述不足,提供一種倒裝芯片框架半蝕刻結構,它一方面可以引導模流的方向,使模流順利流過去,解決了因塑封料填充不良而導致氣孔和反包封現象,另一方面由于框架是金屬材質,芯片是硅材質,兩種不同的材質結合,受溫度影響,熱漲冷縮,框架和芯片間會產生應力,本實用新型在金屬表面蝕刻可減少芯片與金屬面的接觸,從而改善應力。
本實用新型的目的是這樣實現的:一種倒裝芯片框架半蝕刻結構,它包括芯片座和引腳陣列,所述引腳陣列設置于芯片座周圍,所述芯片座正面設置有縱向流道和橫向流道。
所述縱向流道和橫向流道的寬度為芯片座寬度的1/4-1/2。
所述縱向流道和橫向流道通過半蝕刻形成。
與現有技術相比,本實用新型具有以下有益效果:
本實用新型一種倒裝芯片框架半蝕刻結構,它一方面可以引導模流的方向,使模流順利流過去,解決了因塑封料填充不良而導致氣孔和反包封現象,另一方面改善了應力。
附圖說明
圖1為現有倒裝芯片框架的結構示意圖。
圖2為本實用新型一種倒裝芯片框架半蝕刻結構的示意圖。
其中:
芯片座1
引腳陣列2
縱向流道3
橫向流道4
芯片5。
具體實施方式
參見圖2,本實用新型一種倒裝芯片框架半蝕刻結構,它包括芯片座1和引腳陣列2,所述引腳陣列2設置于芯片座1周圍,所述芯片座1正面設置有縱向流道3和橫向流道4,所述縱向流道3和橫向流道4通過半蝕刻形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇長電科技股份有限公司,未經江蘇長電科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520097171.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





