[實用新型]具有熱中子屏蔽的半導體封裝

有效

• 申請號: 201520096869.0
• 申請日: 2015-02-10
• 公開（公告）號: CN204927284U
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 皮耶·梅雅德;杰佛瑞·巴頓;奧斯汀·H·勒希
• 申請（專利權）人: 吉林克斯公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司 11408
• 代理人: 林柳岑

1.一種半導體封裝，其特征在于：包括：

襯底；

第一集成電路裸片，其安置在所述襯底上；以及

熱中子屏蔽，其包含經配置以及布置以抑制遇到所述熱中子屏蔽的熱中子的一部分使其不能穿過所述熱中子屏蔽的屏蔽材料，所述屏蔽材料具有硼-10。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：所述屏蔽材料經配置以及布置以防止遇到所述熱中子屏蔽的熱中子的至少50％穿過所述熱中子屏蔽。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包含蓋子，所述蓋子包含所述屏蔽材料，所述蓋子附接到所述襯底上并且在所述第一集成電路裸片上方延伸。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝，其特征在于：所述屏蔽材料是硼銅合金。

5.根據權利要求3所述的半導體封裝，其特征在于：其進一步包括：

第二集成電路裸片，其電連接到所述襯底上；并且

其中所述熱中子屏蔽在所述第一集成電路裸片以及所述第二集成電路裸片上方延伸。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包含覆蓋所述第一集成電路裸片的環氧樹脂材料，所述環氧樹脂材料包含硼-10。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包含：

蓋子，所述蓋子附接到所述襯底上并且在所述第一集成電路裸片上方延伸；以及

附接到所述蓋子上的所述屏蔽材料的層。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝，其特征在于：所述層中的所述屏蔽材料包含硼硅玻璃顆粒。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包含跨越所述第一集成電路裸片的表面而安置的所述屏蔽材料的層。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝，其特征在于：跨越所述第一集成電路裸片的表面而安置的所述屏蔽材料的所述層通過硼-10離子注入工藝形成。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包含底部填充材料的層，所述底部填充材料包含所述屏蔽材料，所述底部填充材料經配置以及布置以將所述第一集成電路裸片附著到所述襯底上。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝，其特征在于：所述屏蔽材料包含硼硅玻璃顆粒。

13.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：所述襯底包含所述屏蔽材料。

14.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包圍所述第一集成電路裸片。

15.一種半導體封裝，其特征在于：其包括：

一或多個集成電路裸片，其安置在襯底上；以及

熱中子屏蔽，所述熱中子屏蔽包住所述一或多個集成電路裸片，并且包含足以防止遇到所述熱中子屏蔽的熱中子的至少50％穿過所述熱中子屏蔽的一定數量的硼-10。

16.根據權利要求15所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包含橡膠的層，所述橡膠的層包含硼-10并且在所述一或多個集成電路裸片上方延伸。

17.根據權利要求15所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包含摻雜有硼-10的所述襯底的一部分。

18.根據權利要求15所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包含安置在所述襯底與所述一或多個集成電路裸片之間的底部填充材料，所述底部填充材料包含懸浮在其中的硼硅酸鹽顆粒。

19.根據權利要求15所述的半導體封裝，其特征在于：所述熱中子屏蔽包含摻雜有硼-10的所述一或多個集成電路裸片中的至少一者的層。

20.根據權利要求15所述的半導體封裝，其特征在于：其進一步包括含有硼硅酸鹽顆粒的糊狀物的層，所述糊狀物的層沉積在所述一或多個集成電路裸片中的至少一者上。