[實用新型]一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片有效
| 申請號: | 201520091125.X | 申請日: | 2015-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN204348726U | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 葉挺寧 | 申請(專利權)人: | 江西金泰新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/054 |
| 代理公司: | 鷹潭市博惠專利事務所 36112 | 代理人: | 王卿 |
| 地址: | 335200 江*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 漿料 用量 多晶 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽一種多晶硅太陽能電池片。
背景技術
太陽能電池片是一種由于光生伏特效應而將太陽光能直接轉化為電能的器件,是一種新型電源,具有永久性、清潔性和靈活性三大特點。但現有的太陽能電池片存在轉換效率低、生產成本高等不足。
實用新型內容
本實用新型的目的就是針對上述情況提供一種轉換效率高的多晶硅太陽能電池片。本實用新型的目的可通過以下方案來實現:一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片,包括硅片,硅片的正面鍍有反折射膜,反折射膜上面印主柵線和次柵線,硅片的背面印有背電極,其特征是所述反折射膜包括折射率為2.1—2.4的第一層氮化硅減反射膜和折射率為1.7—1.9的第二層氮化硅減反射膜,所述第一層氮化硅減反射膜鍍在硅片的表面,所述第二層氮化硅減反射膜鍍在第一層氮化硅減反射膜鍍表面,所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為10—15nm?,所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為65—75nm,通過這兩層反折射膜的設計大大提高了光電轉換效率,所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀,所述主柵線具有三根,其中一根設置在所述硅片的對稱線上,另外二根分置在所述對稱線上的主柵線兩側,且各相距52mm,所述次柵線為等距離分布,所述三根主柵線的線寬均為1.4mm,每根次柵線的線寬為40um,每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣均為1.5mm,所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小,呈等腰三角形。這種主柵線和次柵線的結構設計,即可以節省印刷漿料,降低生產成本,也可以減少遮光面積,提升轉換效率,所述背電極為條形,有三根,每根背電極分為三段,每段長為20—23.2mm,這種背電極的設計可以降低生產成本。本實用新型具有制造成本低,轉換效率高等特點。
附圖說明
圖1,本實用新型結構示意圖。
圖2,本實用新型正面結構示意圖。
圖3,背電極結構示意圖。
具體實施方式
對照圖1、圖2、圖3可知,一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片,包括硅片1,硅片的正面鍍有反折射膜2,反折射膜上面印主柵線3和次柵線4,硅片的背面印有背電極5,其特征是所述反折射膜包括折射率為2.1—2.4的第一層氮化硅減反射膜和折射率為1.7—1.9的第二層氮化硅減反射膜,所述第一層氮化硅減反射膜鍍在硅片的表面,所述第二層氮化硅減反射膜鍍在第一層氮化硅減反射膜鍍表面,所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為10—15nm?,所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為65—75nm,所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀,所述主柵線具有三根,其中一根設置在所述硅片的對稱線上,另外二根分置在所述對稱線上的主柵線兩側,且各相距52mm,所述次柵線為等距離分布,所述三根主柵線的線寬均為1.4mm,每根次柵線的線寬為40um,每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣均為1.5mm,所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小,呈等腰三角形,所述背電極為條形,有三根,每根背電極分為三段,每段長為20—23.2mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





