[實用新型]一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片

有效

• 申請號: 201520091125.X
• 申請日: 2015-02-10
• 公開（公告）號: CN204348726U
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 葉挺寧
• 申請（專利權）人: 江西金泰新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/054
• 代理公司: 鷹潭市博惠專利事務所 36112
• 代理人: 王卿

1.一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片，包括硅片（1），硅片的正面鍍有反折射膜（2），反折射膜上面印主柵線（3）和次柵線（4），硅片的背面印有背電極（5），其特征是所述反折射膜包括折射率為2.1—2.4的第一層氮化硅減反射膜和折射率為1.7—1.9的第二層氮化硅減反射膜，所述第一層氮化硅減反射膜鍍在硅片的表面，所述第二層氮化硅減反射膜鍍在第一層氮化硅減反射膜鍍表面，所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為10—15nm?，所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為65—75nm，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設置在所述硅片的對稱線上，另外二根分置在所述對稱線上的主柵線兩側，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述三根主柵線的線寬均為1.4mm，每根次柵線的線寬為40um，每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣均為1.5mm，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形，所述背電極為條形，有三根，每根背電極分為三段，每段長為20—23.2mm。