[實(shí)用新型]一種薄膜晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520054765.3
• 申請(qǐng)日: 2015-01-23
• 公開（公告）號(hào): CN204516772U
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高志翔;韓丙辰;劉紅梅;董麗娟;劉艷紅;劉麗想;石云龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山西大同大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/08;H01L29/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管。

背景技術(shù)

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，平板顯示裝置，如液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，LCD)和有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic?Light?Emitting?Display，OLED)因其具有輕、薄、低功耗、高亮度，以及高畫質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)重要的地位。

其中，作為像素結(jié)構(gòu)中的開關(guān)器件對(duì)高畫質(zhì)顯示裝置起著重要的作用。例如薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)的導(dǎo)電性能直接影響TFT的開啟程度，影響液晶分子的偏轉(zhuǎn)程度，從而影響圖像的顯示畫面。

TFT作為開關(guān)器件的結(jié)構(gòu)和工作原理簡(jiǎn)述如下：

TFT主要包括柵極，同層設(shè)置的源極和漏極，位于柵極和源漏極(即源極和漏極)之間的半導(dǎo)體層。

當(dāng)為TFT的柵極施加相對(duì)于地GND的正電壓V_g(簡(jiǎn)稱柵極電壓)時(shí)，所述柵極和漏極之間會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，位于柵極與漏極之間的半導(dǎo)體層在該電場(chǎng)的作用下形成導(dǎo)電溝道，該導(dǎo)電溝道將位于同一層的源極和漏極電性相連。當(dāng)為所述?柵極施加相對(duì)于地GND的負(fù)電壓時(shí)，源極與漏極通過半導(dǎo)體層斷開(即關(guān)閉)，這就是TFT的開關(guān)特性。

TFT的導(dǎo)電性能(即半導(dǎo)體層導(dǎo)電溝道的導(dǎo)通電流)主要取決于TFT中源極與漏極的結(jié)構(gòu)，目前，較高性能的TFT，其源極為U形，漏極為直線形，漏極位于U形源極的缺口中，但是，TFT的導(dǎo)電性能還有待提高。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，用以提供一種新型的導(dǎo)電性能較高的薄膜晶體管。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供薄膜晶體管，包括：

柵極、半導(dǎo)體層、源極和漏極；所述源極和漏極同層設(shè)置，所述半導(dǎo)體層位于所述柵極與源極和漏極所在的膜層之間；所述柵極與所述半導(dǎo)體層相絕緣；所述源極為W形；所述漏極包括兩個(gè)相連的且呈直線形的子電極，所述的兩個(gè)子電極分別位于所述W形源極的兩個(gè)缺口中沿與所述W形源極的底部延伸。

可選的，所述漏極為H形。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供薄膜晶體管，源極為W形，漏極包括兩個(gè)相連的且呈直線形的子電極，兩個(gè)子電極分別位于W形源極的兩個(gè)缺口中沿與所述W形源極的底部延伸，增加了溝道的寬度，從而可有效提高半導(dǎo)體層導(dǎo)電溝道的導(dǎo)通電流。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管的源極和漏極結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，用以提供一種新型的導(dǎo)電性能較高的薄膜晶體管。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管，包括：

柵極、半導(dǎo)體層、源極和漏極；所述源極和漏極同層設(shè)置，所述半導(dǎo)體層位于所述柵極與源極和漏極所在的膜層之間；所述柵極與所述半導(dǎo)體層相絕緣；所述源極為W形；所述漏極包括兩個(gè)相連的且呈直線形的子電極，所述的兩個(gè)子電極分別位于所述W形源極的兩個(gè)缺口中沿與所述W形源極的底部延伸。

可選的，所述漏極為H形。

下面通過附圖具體說明本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管的俯視示意圖；

參見圖1，薄膜晶體管包括：

位于基板(圖1中未示出)上的柵極2；

位于柵極2上的柵極絕緣層(圖1中未示出)；

位于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層3；

位于半導(dǎo)體層3上同層設(shè)置的源極4和漏極5，源極4與漏極5保持絕緣，源極4與漏極5分別與半導(dǎo)體層3相接觸；

其中，源極4為W形；漏極5包括兩個(gè)相連的且呈直線形的子電極51和52，子電極51和子電極52分別位于W形源極4的兩個(gè)缺口中沿與W形源極4的底部延伸，子電極51和子電極52通過連接線53相連；

可選的，連接線53、子電極51和子電極52構(gòu)成H形，當(dāng)然，也可以構(gòu)成U形，或π形。

參見圖2，為本實(shí)用新型提供的薄膜晶體管，僅示出源極4和漏極5，源極4的曲線長(zhǎng)度(即W形源極的有效長(zhǎng)度)為薄膜晶體管溝道的寬度W，漏極5距離源極4的垂直距離L為薄膜晶體管溝道的長(zhǎng)度。

可見，相比較U形漏極，本實(shí)用新型提供的薄膜晶體管，薄膜晶體管溝道的寬度W變長(zhǎng)，但是薄膜晶體管溝道的長(zhǎng)度不變，薄膜晶體管溝道的寬長(zhǎng)比例增加，流過溝道的電流(即導(dǎo)通電流)也因此而增加，則薄膜晶體管的導(dǎo)電性能可有效提高。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變形而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變形屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變形在內(nèi)。