[實用新型]一種薄膜晶體管有效
| 申請號： | 201520054765.3 | 申請日： | 2015-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN204516772U | 公開（公告）日： | 2015-07-29 |
| 發明（設計）人： | 高志翔;韓丙辰;劉紅梅;董麗娟;劉艷紅;劉麗想;石云龍 | 申請（專利權）人： | 山西大同大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 037009 山西省大*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜晶體管，包括：
柵極、半導體層、源極和漏極；所述源極和漏極同層設置，所述半導體層位于所述柵極與源極和漏極所在的膜層之間；所述柵極與所述半導體層相絕緣；其特征在于，
所述源極為W形；
所述漏極包括兩個相連的且呈直線形的子電極，所述的兩個子電極分別位于所述W形源極的兩個缺口中沿與所述W形源極的底部延伸。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極為H形。
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