[實用新型]一種芯片開帽裝置有效
| 申請號: | 201520032900.4 | 申請日: | 2015-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN204348683U | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 尚躍;余夕霞 | 申請(專利權)人: | 上海聚躍電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200233 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 裝置 | ||
1.一種芯片開帽裝置,其特征在于,所述芯片開帽裝置包括YAG棒、泵燈、聚光鏡、第一反射鏡、第二反射鏡、高壓電源和樣品臺,所述YAG棒與泵燈平行布置且都位于聚光鏡內,所述YAG棒安裝在第一反射鏡與第二反射鏡之間,所述YAG棒的中心線分別與第一反射鏡的中心線、第二反射鏡的中心線重合,所述第二反射鏡固定在樣品臺與聚光鏡的底部之間,所述泵燈的兩端與高壓電源的兩端接通。
2.根據權利要求1所述的芯片開帽裝置,其特征在于,所述聚光鏡的截面形狀為方形。
3.根據權利要求1所述的芯片開帽裝置,其特征在于,所述芯片開帽裝置還包括電容,所述電容的兩端與高壓電源的兩端接通。
4.根據權利要求1所述的芯片開帽裝置,其特征在于,所述YAG棒與泵燈之間的間隙為1-3㎜。
5.根據權利要求1至4任一所述的芯片開帽裝置,其特征在于,所述第一反射鏡與第二反射鏡平行布置,所述第一反射鏡的反射率為99-100%,所述第二反射鏡的反射率為50%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





