[實用新型]晶圓托盤結構有效
| 申請號: | 201520018551.0 | 申請日: | 2015-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN204407308U | 公開(公告)日: | 2015-06-17 |
| 發明(設計)人: | 白英宏;張繼允 | 申請(專利權)人: | 聚昌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 托盤 結構 | ||
技術領域
本實用新型為一種晶圓托盤結構,特別為一種可提升晶圓片的散熱效率與溫度均勻性的晶圓托盤結構。
背景技術
在半導體制造過程中,公知晶圓托盤常會遇到散熱效果不佳或不均勻的問題。晶圓片在歷經一段加工制造過程后,會產生吸熱溫升現象,此時晶圓片的高溫必須獲得適當的冷卻降溫,否則將會產生形變而影響其表面平坦度,進而影響了晶圓產出的良率。
如圖1所示,其為公知的一種晶圓托盤結構的立體示意圖。公知的晶圓托盤結構100主要是由托盤本體10與多個晶圓平臺12所組成。晶圓平臺12凸出形成于托盤本體10的表面11上。晶圓平臺12的容置面13上形成有氣孔14。氣孔14的功用是在制造過程進行中,可以自氣孔14通入冷卻氣體,做為溫度傳導的介質,使得置于晶圓平臺12上方的晶圓片的高溫能獲得適當的冷卻降溫。
然而,在半導體制造過程中,常會遇到一個問題就是,距離托盤本體10的中心點15越近的晶圓平臺其溫度就越高,例如晶圓平臺12A的溫度會比晶圓平臺12B的溫度還要高,導致在散熱過程中晶圓片會有散熱不均勻的現象。
因此,一種可解決散熱過程中導致晶圓片會有散熱不均勻的創新晶圓托盤結構便有應運而生的急迫需求。
有鑒于上述現有的晶圓托盤結構存在的缺陷,本發明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識,并配合學理的運用,積極加以研究創新,以期創設一種新型的晶圓托盤結構,能夠改進一般現有的晶圓托盤結構,使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計,并經反復試作樣品及改進后,終于創設出確具實用價值的本實用新型。
發明內容
本實用新型的目的在于,克服現有的晶圓托盤結構存在的缺陷,而提供一種新型的晶圓托盤結構,所要解決的技術問題是使其在晶圓片進行散熱過程時,使得置于托盤本體的不同區域上的晶圓片獲得不同的散熱效率,以解決位于不同位置的晶圓平臺上的晶圓片之間會有散熱不均勻的問題,從而更加適于實用。本實用新型的目的及解決其技術問題是采用以下的技術方案來實現的。依據本實用新型提出的一種晶圓托盤結構,其包括:托盤本體,具有表面,該表面上定義有第一區域及第二區域,該第一區域是以該托盤本體的任一點為圓心的圓形區域,該第二區域是圍繞于該圓形區域外側的同心環形區域;至少一個第一晶圓平臺,凸出形成于該表面上且位于該第一區域內,該第一晶圓平臺的容置面上形成有至少一個第一氣孔;以及多個第二晶圓平臺,凸出形成于該表面上且位于該第二區域內,每一個該第二晶圓平臺的容置面上形成有至少一個第二氣孔;其中,該第一區域內的該第一氣孔的總面積大于該第二區域內的該第二氣孔的總面積。
本實用新型的目的以及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進一步實現。
前述的晶圓托盤結構,其中所述的第一區域的圓心為該托盤本體的中心點。
前述的晶圓托盤結構,其中所述的第一氣孔的孔徑大于該第二氣孔的孔徑。
前述的晶圓托盤結構,其中所述的第一晶圓平臺的容置面形成有多個第一氣孔時,所述的第一氣孔的數量多于第二氣孔的數量。
前述的晶圓托盤結構,其中所述的第二晶圓平臺的容置面形成有多個第二氣孔。
前述的晶圓托盤結構,其中所述的第一氣孔的孔徑等于第二氣孔的孔徑,且所述的第一晶圓平臺的容置面形成有多個第一氣孔時,所述的第一氣孔的數量多于第二氣孔的數量。
本實用新型與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。借由上述技術方案,本實用新型晶圓托盤結構可達到相當的技術進步性及實用性,并具有產業上的廣泛利用價值,借由本實用新型的實施,可達到下列進步功效:
一、提升晶圓片的降溫效率。
二、使晶圓片的散熱效果均勻。
為了使任何熟習相關技藝者了解本實用新型的技術內容并據以實施,且根據本說明書所揭露的內容、權利要求范圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本實用新型相關的目的及優點,因此將在實施方式中詳細敘述本實用新型的詳細特征以及優點。
附圖說明
圖1為公知的一種晶圓托盤結構的立體示意圖;
圖2為本實用新型第一實施例一種晶圓托盤結構的立體示意圖;
圖3為本實用新型第二實施例一種晶圓托盤結構的立體示意圖;
圖4為本實用新型第三實施例一種晶圓托盤結構的立體示意圖;以及
圖5為本實用新型第四實施例一種晶圓托盤結構的立體示意圖。
【主要組件符號說明】
100、200:晶圓托盤結構
10、20:托盤本體
11、21:表面
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





