[實用新型]晶圓托盤結構有效
| 申請號: | 201520018551.0 | 申請日: | 2015-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN204407308U | 公開(公告)日: | 2015-06-17 |
| 發明(設計)人: | 白英宏;張繼允 | 申請(專利權)人: | 聚昌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 托盤 結構 | ||
1.一種晶圓托盤結構,其特征在于,其包括:
托盤本體,具有表面,該表面上形成有第一區域及第二區域,該第一區域是以該托盤本體的任一點為圓心的圓形區域,該第二區域是圍繞于該圓形區域外側的同心環形區域;
至少一個第一晶圓平臺,凸出形成于該表面上且位于該第一區域內,該第一晶圓平臺的容置面上形成有至少一個第一氣孔;以及
多個第二晶圓平臺,凸出形成于該表面上且位于該第二區域內,每一個該第二晶圓平臺的容置面上形成有至少一個第二氣孔;
其中,該第一區域內的該第一氣孔的總面積大于該第二區域內的該第二氣孔的總面積。
2.根據權利要求1所述的晶圓托盤結構,其特征在于,其中所述的第一區域的圓心為該托盤本體的中心點。
3.根據權利要求2所述的晶圓托盤結構,其特征在于,其中所述的第一氣孔的孔徑大于該第二氣孔的孔徑。
4.根據權利要求1或2或3所述的晶圓托盤結構,其特征在于,其中所述的第一晶圓平臺的容置面形成有多個第一氣孔時,所述的第一氣孔的數量多于第二氣孔的數量。
5.根據權利要求4所述的晶圓托盤結構,其特征在于,其中所述的第二晶圓平臺的容置面形成有多個第二氣孔。
6.根據權利要求1所述的晶圓托盤結構,其特征在于,其中所述的第一氣孔的孔徑等于第二氣孔的孔徑,且所述的第一晶圓平臺的容置面形成有多個第一氣孔時,所述的第一氣孔的數量多于第二氣孔的數量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





