[實(shí)用新型]倒裝LED芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520009033.2
• 申請(qǐng)日: 2015-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204706582U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁章潔;許順成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42225
• 代理人: 沈林華

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及LED(發(fā)光二極管)芯片領(lǐng)域，特別地，涉及一種倒裝LED芯片。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體照明以節(jié)能，環(huán)保，亮度高，壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，成為社會(huì)發(fā)展的焦點(diǎn)。GaN基LED芯片是半導(dǎo)體照明的“核心動(dòng)力”，近年來(lái)性能得到大幅提升，生產(chǎn)成本也不斷降低，為半導(dǎo)體照明走進(jìn)千家萬(wàn)戶做出了突出貢獻(xiàn)。

市場(chǎng)需求和為了滿足這種需求提高產(chǎn)品的性價(jià)比是技術(shù)發(fā)展走勢(shì)的一種強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)力。一種產(chǎn)品往往要綜合使用多種技術(shù)，因此多種技術(shù)的平衡發(fā)展才能使一種產(chǎn)品的綜合性能指標(biāo)滿足客戶的需求。

目前倒裝LED芯片中的電極多為單一結(jié)構(gòu)，電流在電極的作用下進(jìn)入芯片后多集中于該電極附近，電子在芯片中的傳到均勻性較差。芯片的發(fā)光亮度受到影響。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種倒裝LED芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)中倒裝LED芯片中電流分布均勻性差，導(dǎo)致亮度低的技術(shù)問(wèn)題。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供了一種倒裝LED芯片，包括：襯底；外延層，設(shè)置于襯底上；透明導(dǎo)電層，設(shè)置于外延層上；P型電極和N型電極，分別間隔設(shè)置于透明導(dǎo)電層與外延層上，N型電極還包括條狀N型電極，條狀N型電極在倒裝LED芯片內(nèi)沿倒裝LED芯片的橫向延伸形成；P型電極還包括條狀P型電極，條狀P型電極在倒裝LED芯片內(nèi)沿倒裝LED芯片的橫向延伸形成。

進(jìn)一步地，N型電極還包括柱狀N型電極，柱狀N型電極在外延層內(nèi)沿倒裝LED芯片的縱向延伸形成；P型電極還包括柱狀P型電極，柱狀P型電極在外延層內(nèi)沿倒裝LED芯片的縱向延伸形成。

進(jìn)一步地，條狀N型電極和條狀P型電極的寬度為0.5～20um。

進(jìn)一步地，條狀N型電極和條狀P型電極相互平行。

進(jìn)一步地，條狀P型電極包括第一條狀P型電極和第二條狀P型電極，第一條狀P型電極與第二條狀P型電極之間設(shè)置條狀N型電極。

進(jìn)一步地，倒裝LED芯片為矩形，條狀N型電極沿倒裝LED芯片的周緣設(shè)置，柱狀N型電極設(shè)置于第一條狀N型電極的至少任一頂角處；條狀P型電極間隔設(shè)置于條狀N型電極的內(nèi)側(cè)。

進(jìn)一步地，條狀P型電極包括第一條狀P型電極和第二條狀P型電極，第二條狀P型電極間隔設(shè)置于第一條狀P型電極的內(nèi)側(cè)，柱狀P型電極設(shè)置于第一條狀P型電極的至少任一頂角處。

進(jìn)一步地，柱狀N型電極還包括相互間隔設(shè)置的第一柱狀N型電極和第二柱狀N型電極，第二柱狀N型電極的一側(cè)與條狀N型電極相接；柱狀P型電極還包括相互間隔設(shè)置的第一柱狀P型電極和第二柱狀P型電極，第二柱狀P型電極的一側(cè)與條狀P型電極相接。

進(jìn)一步地，外延層包括N型GaN層、量子阱層和P型GaN層，N型GaN層、量子阱層和P型GaN層依次疊置于襯底上，透明導(dǎo)電層設(shè)置于P型GaN層的頂面上。

進(jìn)一步地，還包括絕緣層與焊盤(pán)，焊盤(pán)包括間隔設(shè)置的P型焊盤(pán)和N型焊盤(pán)，N型焊盤(pán)與部分N型電極相接觸；P型焊盤(pán)與部分P型電極相接觸。

本實(shí)用新型具有以下有益效果：

本實(shí)用新型提供的倒裝LED芯片中的各電極為枝條狀，設(shè)置于倒裝LED芯片的頂面上，使得電流在LED芯片中的運(yùn)動(dòng)面積更大，提高電流在芯片中的分別均勻性和擴(kuò)散面積，提高發(fā)光亮度。

除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本實(shí)用新型還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照?qǐng)D，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1是本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的倒裝LED芯片反轉(zhuǎn)后的俯視示意圖；

圖2是沿圖1A-A線的剖視示意圖(剖面線部分省略)；

圖3是本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的LED芯片俯視示意圖；以及

圖4是本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的LED芯片俯視示意圖；

圖5是本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的LED芯片俯視示意圖；

圖6是本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的LED芯片俯視示意圖。

圖例說(shuō)明：

1、襯底；2、N型GaN層；3、量子阱層；4、P型GaN層；5、透明導(dǎo)電層；6、布拉格反射絕緣層；71、第一柱狀N型電極；72、第二柱狀N型電極；73、條狀N型電極；81、第一柱狀P型電極；82、第二柱狀P型電極；83、條狀P型電極；831、第一條狀P型電極；832、第二條狀P型電極；10、P型焊盤(pán)；11、N型焊盤(pán)；101、第一柱；102、第二柱。