[實用新型]倒裝LED芯片

有效

• 申請號: 201520009033.2
• 申請日: 2015-01-07
• 公開（公告）號: CN204706582U
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 袁章潔;許順成
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 武漢智權專利代理事務所(特殊普通合伙) 42225
• 代理人: 沈林華

1.一種倒裝LED芯片，包括：

襯底；

外延層，設置于所述襯底上；P型電極和N型電極，分別間隔設置于所述外延層上，其特征在于，

所述N型電極還包括條狀N型電極，所述條狀N型電極在所述倒裝LED芯片內沿所述倒裝LED芯片的橫向延伸形成；

所述P型電極還包括條狀P型電極，所述條狀P型電極在所述倒裝LED芯片內沿所述倒裝LED芯片的橫向延伸形成。

2.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，

所述N型電極還包括柱狀N型電極，所述柱狀N型電極在所述外延層內沿所述倒裝LED芯片的縱向延伸形成；

所述P型電極還包括柱狀P型電極，所述柱狀P型電極在所述外延層內沿所述倒裝LED芯片的縱向延伸形成。

3.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述條狀N型電極和所述條狀P型電極的寬度為0.5～20um。

4.根據權利要求3所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述條狀N型電極和所述條狀P型電極相互平行。

5.根據權利要求4所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述條狀P型電極包括第一條狀P型電極和第二條狀P型電極，所述第一條狀P型電極與所述第二條狀P型電極之間設置所述條狀N型電極。

6.根據權利要求2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述倒裝LED芯片為矩形，

所述條狀N型電極沿所述倒裝LED芯片的周緣設置，所述柱狀N型電極設置于第一條狀N型電極的至少任一頂角處；

所述條狀P型電極間隔設置于所述條狀N型電極的內側。

7.根據權利要求6所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述條狀P型電極包括第一條狀P型電極和第二條狀P型電極，所述第二條狀P型電極間隔設置于所述第一條狀P型電極的內側，所述柱狀P型電極設置于所述第一條狀P型電極的至少任一頂角處。

8.根據權利要求7所述的倒裝LED芯片，其特征在于，

所述柱狀N型電極還包括相互間隔設置的第一柱狀N型電極和第二柱狀N型電極，所述第二柱狀N型電極的一側與所述條狀N型電極相接；

所述柱狀P型電極還包括相互間隔設置的第一柱狀P型電極和第二柱狀P型電極，所述第二柱狀P型電極的一側與所述條狀P型電極相接。

9.根據權利要求8所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述外延層包括N型GaN層、量子阱層和P型GaN層，所述N型GaN層、所述量子阱層和所述P型GaN層依次疊置于所述襯底上，透明導電層設置于所述P型GaN層的頂面上。

10.根據權利要求8所述的倒裝LED芯片，其特征在于，還包括焊盤，所述焊盤包括間隔設置的P型焊盤和N型焊盤，所述N型焊盤與所述N型電極相接觸；所述P型焊盤與所述P型電極相接觸。