[發(fā)明專利]一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201511029257.0 | 申請(qǐng)日： | 2015-12-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105671495A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳曉彤;方俊勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 奧特路（漳州）光學(xué)科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/30 | 分類號(hào)： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/18;C23C14/20;H04M1/02 |
| 代理公司： | 福州君誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 360000 福建省漳*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 過濾 防輻射 耐磨 手機(jī) 蓋板 及其 制造 方法 | ||
1.一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨手機(jī)蓋板，包括基板，其特征在于：所述基板的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層和第五膜層，所述第一膜層為五氧化三鈦層，第一膜層的厚度為10-100nm；所述第二膜層為二氧化硅層，第二膜層的厚度為50-100nm；第三膜層為金屬層，第三膜層的厚度為5-20nm；所述第四膜層為ITO層，第四膜層的厚度為10-100nm；所述第五膜層為高硬度層，該第五膜層的厚度為10-50mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨手機(jī)蓋板，其特征在于：所述金屬層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅或鎳，并由電子槍蒸鍍成型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨手機(jī)蓋板，其特征在于：所述金屬層的膜材為金合金、銀合金、鉑合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，并由電子槍蒸鍍成型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨手機(jī)蓋板，其特征在于：所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨手機(jī)蓋板，其特征在于：所述基板為樹脂或玻璃成型。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述手機(jī)蓋板的制造方法，其特征在于：所述手機(jī)蓋板的基板為樹脂成型時(shí)，所述制造方法具體包括以下步驟：
1）對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2）對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
?、鍍第一膜層：
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0×10-3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5?/S，第一膜層最終形成后的厚度為10-100nm，其中第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層：
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟?中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7?/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm，其中第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層：
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1?/S，第三膜層最終形成后的厚度為5-20nm，其中第三膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鉑合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，形成金屬層；
D、鍍第四膜層：
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時(shí)控制第四膜層蒸鍍的速率為1?/S，第四膜層最終形成后的厚度為10-100nm，其中第四膜層的膜材為ITO膜材，形成ITO層；
E、鍍第五膜層：
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材，第五膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟D中第四膜層的表面，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為7?/S，第五膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第五膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨手機(jī)蓋板的制造方法，其特征在于：所述步驟1）中，對(duì)基板外表面清洗的具體方法如下：將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面3分鐘。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
