[發明專利]一種InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定方法及裝置有效
| 申請號： | 201511029165.2 | 申請日： | 2015-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN105548227B | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發明（設計）人： | 周朋;劉銘;折偉林;邢偉榮;尚林濤 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | G01N23/207 | 分類號： | G01N23/207 |
| 代理公司： | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 梁軍 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 inalsb 薄膜 組分 含量 測定 方法 裝置 | ||
本發明公開了一種InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定方法及裝置，所述方法具體包括以下步驟：在InSb襯底上生長InAlSb薄膜，測定X射線的入射角在所述InAlSb薄膜滿足布喇格方程時的角度θInAlSb測量；對所述θInAlSb測量進行修正，得到θInAlSb修正；根據θInAlSb修正得到所述InAlSb薄膜的點陣常數aInAlSb；根據InSb的點陣常數aInSb、AlSb的點陣常數aAlSb，以及所述aInAlSb得到所述InAlSb薄膜中鋁組分的含量，本發明的方法和裝置能夠在不損傷樣品的前提下方便快捷的測定InAlSb薄膜中鋁組分含量，測試結果也較為精確。
技術領域
本發明涉及試驗及測試技術領域，特別涉及一種銦鋁銻InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定方法及裝置。
背景技術
在InSb襯底上外延InAlSb薄膜可以制備出能夠在高于液氮溫度下工作時性能良好的紅外探測器器件。InAlSb薄膜中鋁組分的含量是制備這種器件的重要指標，鋁組分過低時，其對半導體禁帶寬度的影響不大，不能達到高溫工作的目的；鋁組分過高時，又會引入過多位錯，大大降低探測器器件的性能。
想要控制鋁組分的含量，就必須先對其進行測試表征。現在常用的測試材料組分的方法有：X射線光電子能譜、二次離子質譜儀、紅外吸收光譜等。但這些方法在用于測試薄膜材料組分時均存在一定的缺點，如X射線光電子能譜，其測試深度僅為幾十埃，不能反映出薄膜材料的真實組分；對于二次離子質譜儀，由于各種元素的二次離子差額值相差非常大，做定量分析時通常需要標準樣品進行校正，而用于測定InAlSb材料中鋁含量的標準樣制備工作量巨大；紅外吸收光譜定量測試依據朗伯-比爾定律，要求被分析峰有足夠的強度，否則其精度難以保證。
由此可見，現有技術中并沒有一種能夠方便快捷準確的測定InAlSb薄膜中鋁組分含量的方法。
發明內容
本發明提供了一種銦鋁銻InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定方法及裝置，解決了現有技術中不能方便快捷準確的測定InAlSb薄膜中鋁組分含量的問題。
本發明提供一種銦鋁銻InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定方法，包括以下步驟：
在InSb襯底上生長InAlSb薄膜，測定X射線的入射角在所述InAlSb薄膜滿足布喇格方程時的角度θInAlSb測量；
對所述θInAlSb測量進行修正，得到θInAlSb修正；
根據θInAlSb修正得到所述InAlSb薄膜的點陣常數aInAlSb；
根據InSb的點陣常數aInSb、AlSb的點陣常數aAlSb，以及所述aInAlSb得到所述InAlSb薄膜中鋁組分的含量。
本發明還提供了一種銦鋁銻InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定裝置，包括測量模塊、修正模塊、點陣常數模塊、鋁組分含量模塊：
所述測量模塊，用于在InSb襯底上生長InAlSb薄膜，測定X射線的入射角在所述InAlSb薄膜滿足布喇格方程時的角度θInAlSb測量；
所述修正模塊，用于對所述θInAlSb測量進行修正，得到θInAlSb修正；
所述點陣常數模塊，用于根據θInAlSb修正得到所述InAlSb薄膜的點陣常數aInAlSb；
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