[發明專利]一種InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定方法及裝置有效
| 申請號： | 201511029165.2 | 申請日： | 2015-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN105548227B | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發明（設計）人： | 周朋;劉銘;折偉林;邢偉榮;尚林濤 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | G01N23/207 | 分類號： | G01N23/207 |
| 代理公司： | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 梁軍 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 inalsb 薄膜 組分 含量 測定 方法 裝置 | ||
1.一種InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定方法，其特征在于，包括以下步驟：
在InSb襯底上生長InAlSb薄膜，測定X射線的入射角在所述InAlSb薄膜滿足布喇格方程時的角度θInAlSb測量；
對所述θInAlSb測量進行修正，得到θInAlSb修正；
根據θInAlSb修正得到所述InAlSb薄膜的點陣常數aInAlSb；
根據InSb的點陣常數aInSb、AlSb的點陣常數aAlSb，以及所述aInAlSb得到所述InAlSb薄膜中鋁組分的含量；
對θInAlSb測量進行修正，得到θInAlSb修正具體包括以下步驟：
通過公式1，根據InSb襯底的點陣常數aInSb得到InSb襯底HKL等效晶面族的晶面間距dHKL-InSb，
在公式1中H＝4，K＝0，L＝0；
通過公式2，根據所述dHKL-InSb和X射線波長λ，得到InSb襯底滿足布喇格方程時的標準角度θInSb標準；
λ＝2dHKL-InSbsinθInSb標準 公式2；
測定X射線的入射角在所述InSb襯底滿足布喇格方程時的角度θInSb測量，結合θInAlSb測量，通過公式3得到θInAlSb測量與θInSb測量之間的差值△θ，
△θ＝θInAlSb測量-θInSb測量 公式3；
通過公式4，根據θInSb標準和△θ得到θInAlSb修正，
θInAlSb修正＝△θ+θInSb標準 公式4。
2.如權利要求1所述的InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定方法，其特征在于，所述根據θInAlSb修正得到InAlSb薄膜的點陣常數aInAlSb具體包括以下步驟：
通過公式5，根據X射線波長λ和所述θInAlSb修正，得到InAlSb薄膜HKL等效晶面族的晶面間距dHKL-InAlSb，
2dHKL-InAlSbsinθInAlSb修正＝λ 公式5；
通過公式6，根據所述dHKL-InAlSb得到InAlSb薄膜的點陣常數aInAlSb，
在公式6中H＝4，K＝0，L＝0。
3.如權利要求1所述的InAlSb薄膜中鋁組分含量的測定方法，其特征在于，根據InSb的點陣常數aInSb、AlSb的點陣常數aAlSb，以及所述aInAlSb計算InAlSb薄膜中鋁組分含量具體包括以下步驟：
通過公式7，根據InSb的點陣常數aInSb、AlSb的點陣常數aAlSb，以及所述aInAlSb計算InAlSb薄膜中鋁組分含量x，
aInAlSb＝x×aAlSb+(1-x)×aInSb 公式7。
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