[發(fā)明專利]一種殺菌防輻射的耐磨觸摸顯示屏及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201511028584.4
• 申請(qǐng)日: 2015-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105624674A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳曉彤;方俊勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奧特路（漳州）光學(xué)科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C28/00
• 分類(lèi)號(hào): C23C28/00;C23C16/06;C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10;G06F3/041
• 代理公司: 福州君誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種殺菌防輻射的耐磨觸摸顯示屏及其制造方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的觸摸顯示屏在使用過(guò)程中很容易被刮花或蹭花，影響美觀，更嚴(yán)重的是，觸摸顯示屏的表面刮花或蹭花后，內(nèi)層暴露在空氣中，容易受腐蝕，影響使用壽命。另外，現(xiàn)有的觸摸顯示屏較少有殺菌功能，人們?cè)谑褂眠^(guò)程中容易從觸摸顯示屏上感染細(xì)菌，且觸摸顯示屏在使用過(guò)程中還會(huì)不斷產(chǎn)生對(duì)人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線，給人體造成傷害。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種殺菌防輻射的耐磨觸摸顯示屏及其制造方法，該方法制造出來(lái)的觸摸顯示屏具有防止細(xì)菌或輻射對(duì)人體的傷害，而且具有高耐性。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種殺菌防輻射的耐磨觸摸顯示屏,包括基板，所述基板的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層和第三膜層，所述第一膜層為ITO層，第一膜層的厚度為10-100nm；所述第二膜層為納米銀層，第二膜層的厚度為5-20nm；第三膜層為高硬度層，第三膜層的厚度為10-50nm。

所述納米銀層的膜材為銀的氧化物，并使用電子槍蒸鍍成型。

所述銀的氧化物為Ag₂O、AgO或Ag₂O₃。

所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并使用電子槍蒸鍍成型。

所述基板為樹(shù)脂或玻璃成型。

所述觸摸顯示屏的基板為樹(shù)脂成型時(shí)，所述殺菌防輻射的耐磨觸摸顯示屏的制造方法具體包括以下步驟：

1）對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；

2）對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；

A、鍍第一膜層：

將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0×10^-3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為1?/S，第一膜層最終形成后的厚度為10-100nm，其中第一膜層的膜材為ITO材料,形成ITO層；

B、鍍第二膜層：

保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0×10^-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，其中第二膜層的膜材為銀的氧化物，在電子槍蒸鍍的作用下第二膜層的膜材的銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米級(jí)單質(zhì)銀的形式附著于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為1?/S，第二膜層最終形成后的厚度為5-20nm的薄層的納米銀層；其中所述銀的氧化物為Ag₂O、AgO或Ag₂O₃；

C、鍍第三膜層：

保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0×10^-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為7?/S，第三膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第三膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體,形成高硬度層。

所述步驟1）中，對(duì)基板清洗的具體方法如下：將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面3分鐘。

所述觸摸顯示屏的基板為玻璃成型時(shí)，所述殺菌防輻射的耐磨觸摸顯示屏制造方法具體包括以下步驟：

1）對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；

2）對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；

A、鍍第一膜層：

將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0×10^-3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300℃，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為1?/S，第一膜層最終形成后的厚度為10-100nm，其中第一膜層的膜材為ITO材料,形成ITO層；

B、鍍第二膜層：