[發(fā)明專利]形成碳基底連接層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201511025296.3
• 申請日: 2015-12-30
• 公開（公告）號: CN105513949B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設計）人: 肖培
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡杰赟;吳敏

本發(fā)明提供一種形成碳基底連接層的方法，包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成電介質層；在所述電介質層上形成掩膜層；以所述掩膜層為掩膜刻蝕部分所述電介質層形成第一溝槽，其中，所述第一溝槽的底部為剩余的所述電介質層，剩余的所述電介質層覆蓋所述碳基底；以及進行掩膜層灰化和濕法清洗。所述形成碳基底連接層的方法還包括：刻蝕所述第一溝槽底部剩余的所述電介質層和部分所述碳基底以形成第二溝槽，其中，所述第二溝槽貫穿所述電介質層并且嵌入所述碳基底；以及使用有機溶劑進行濕法清洗。使用這一方法可以有效地去除掉刻蝕后殘留的所述掩膜層。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別涉及一種形成碳基底連接層的方法。

背景技術

制造用于微機電系統(tǒng)(Microelectromechanical Systems,MEMS)的微輻射熱測定器(Micro-bolometer)需要通過刻蝕形成于非晶碳基底上的金屬間電介質(Inter-MetalDielectric,IMD)層到接觸所述非晶碳基底表面為止以形成碳基底連接層。然后，需要去除刻蝕后殘留的掩膜層。

然而，傳統(tǒng)的灰化(ashing)工藝并不適用。因為灰化工藝會使用氣體，比如氧氣、氬氣等，高溫轟擊所述掩膜層以去除殘留，在高溫下，這些氣體會和所述非晶碳基底發(fā)生反應，使得所述非晶碳基底受到損壞。

現(xiàn)有技術中，在刻蝕所述金屬間電介質層后，使用有機溶劑ST-44對殘留的所述掩膜層進行濕法去除(wet strip)，然后再使用所述有機溶劑ST-44進行濕法清洗。然而，在濕法去除殘留的所述掩膜層的過程中，生成的聚合物會覆蓋在殘留的所述掩膜層上。所述有機溶劑ST-44清洗所述聚合物的能力較弱，無法有效地去除掉殘留的所述掩膜層。

發(fā)明內容

本發(fā)明解決的問題是，現(xiàn)有技術中，在濕法去除殘留的所述掩膜層的過程中，生成的聚合物會覆蓋在殘留的所述掩膜層上，導致所述有機溶劑ST-44無法有效地去除掉殘留的所述掩膜層。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種形成碳基底連接層的方法包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成電介質層；在所述電介質層上形成掩膜層；以所述掩膜層為掩膜刻蝕部分所述電介質層形成第一溝槽，其中，所述第一溝槽的底部為剩余的所述電介質層，剩余的所述電介質層覆蓋所述碳基底；進行掩膜層的灰化；以及，進行濕法清洗。

可選地，在所述碳基底上形成所述電介質層包括：在所述碳基底上形成第一子電介質層；在所述第一子電介質層上形成第二子電介質層；以及在所述第二子電介質層上形成第三子電介質層，其中，所述第三子電介質層的厚度大于所述第一子電介質層的厚度。

可選地，所述第一電介質層的厚度為900埃米，所述第三子電介質層的厚度為1200埃米至1600埃米。

可選地，所述第一溝槽貫穿所述第三子電介質層和所述第二子電介質層并且嵌入所述第一子電介質層。

可選地，所述第一溝槽的底部與所述碳基板之間的距離為300埃米至500埃米。

可選地，所述形成碳基底連接層的方法還包括：刻蝕部分所述第三子電介質層，使得所述第三子電介質層的厚度和所述第一子電介質層的厚度相同。

可選地，刻蝕部分所述第三子電介質層包括：由所述第三子電介質層的遠離所述第二子電介質層的表面開始，向與所述第二子電介質層接觸的表面進行刻蝕。

可選地，所述形成碳基底連接層的方法還包括：刻蝕所述第一溝槽底部剩余的所述電介質層和部分所述碳基底以形成第二溝槽，其中，所述第二溝槽貫穿所述電介質層并且嵌入所述碳基底。

可選地，形成所述第二溝槽后，所述形成碳基底連接層的方法還包括：使用有機溶劑進行濕法清洗。

可選地，所述有機溶劑包括ST-44溶劑。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明實施例的技術方案具有以下優(yōu)點：