[發(fā)明專利]形成碳基底連接層的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201511025296.3 | 申請日： | 2015-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN105513949B | 公開（公告）日： | 2019-03-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 肖培 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡杰赟;吳敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 基底 連接 方法 | ||
1.一種形成碳基底連接層的方法，其特征在于，包括：
提供碳基底；
在所述碳基底上形成電介質(zhì)層，在所述碳基底上形成所述電介質(zhì)層包括：在所述碳基底上形成第一子電介質(zhì)層；在所述第一子電介質(zhì)層上形成第二子電介質(zhì)層，所述第二子電介質(zhì)層的材料為鈦；以及在所述第二子電介質(zhì)層上形成第三子電介質(zhì)層；
在所述電介質(zhì)層上形成掩膜層；
以所述掩膜層為掩膜刻蝕部分所述電介質(zhì)層形成第一溝槽，所述第一溝槽貫穿所述第三子電介質(zhì)層和所述第二子電介質(zhì)層并且嵌入所述第一子電介質(zhì)層，所述第一溝槽的底部為剩余的第一子電介質(zhì)層，剩余的所述第一子電介質(zhì)層覆蓋所述碳基底；在形成貫穿所述第三子電介質(zhì)層和所述第二子電介質(zhì)層并且嵌入所述第一子電介質(zhì)層的第一溝槽后，進行掩膜層灰化和濕法清洗；
進行掩膜層灰化和濕法清洗后，刻蝕所述第一溝槽底部剩余的所述電介質(zhì)層和部分所述碳基底以形成第二溝槽，其中，所述第二溝槽貫穿所述電介質(zhì)層并且嵌入所述碳基底；
形成所述第二溝槽后，還包括：使用有機溶劑ST-44進行濕法清洗。
2.如權利要求1所述的形成碳基底連接層的方法，其特征在于，所述第三子電介質(zhì)層的厚度大于所述第一子電介質(zhì)層的厚度。
3.如權利要求2所述的形成碳基底連接層的方法，其特征在于，所述第一子電介質(zhì)層的厚度為900埃米，所述第三子電介質(zhì)層的厚度為1200埃米至1600埃米。
4.如權利要求2所述的形成碳基底連接層的方法，其特征在于，還包括：刻蝕部分所述第三子電介質(zhì)層，使得所述第三子電介質(zhì)層的厚度和所述第一子電介質(zhì)層的厚度相同。
5.如權利要求1所述的形成碳基底連接層的方法，其特征在于，所述第一溝槽的底部與所述碳基板之間的距離為300埃米至500埃米。
6.如權利要求5所述的形成碳基底連接層的方法，其特征在于，刻蝕部分所述第三子電介質(zhì)層包括：由所述第三子電介質(zhì)層的遠離所述第二子電介質(zhì)層的表面開始，向與所述第二子電介質(zhì)層接觸的表面進行刻蝕。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
