[發明專利]應用于紅外敏感元件的紅外濾光片

有效

• 申請號: 201511024957.0
• 申請日: 2015-12-30
• 公開（公告）號: CN105589121A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 王繼平;呂晶;胡偉琴
• 申請（專利權）人: 杭州麥樂克電子科技有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

技術領域

本發明涉及一種紅外熱成像儀組件，特別是應用于紅外敏感元件的紅外濾光片。

背景技術

紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過非接觸探測紅外能量(熱量)，并 將其轉換為電信號，進而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對溫度值進行計算的 一種檢測設備。紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)能夠將探測到的熱量精確量 化或測量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠對發熱的故障區域進行準確識別和嚴格分 析。

紅外熱成像儀的探測器是實現紅外能量(熱能)轉換電信號的關鍵，由于各種生物 所發出來的紅外能量(熱能)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱 圖像，人們往往會在探測器中添加紅外濾光片，通過紅外濾光片可以使探測器只接受特 定波段的紅外能量(熱能)，保證紅外熱成像儀的成像結果。

但是，目前的紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發展的需要。

發明內容

本發明的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪 比，且膜系結構簡單的應用于紅外敏感元件的紅外濾光片。

為了達到上述目的，本發明所設計的應用于紅外敏感元件的紅外濾光片，包括成分 為Si單晶硅的基板以及分別位于基板兩側面的第一鍍膜層和第二鍍膜層，其特征是所述 第一鍍膜層包含從內向外依次排列的厚度為110納米的Ge層、厚度為319納米的ZnS 層、厚度為149納米的Ge層、厚度為583納米的ZnS層、厚度為1000納米的YF3層、 厚度為239納米的ZnS層、所述第二鍍膜層是厚度為1100納米的C層。

上述各材料對應的厚度，其允許在公差范圍內變化，其變化的范圍屬于本專利保護 的范圍，為等同關系。通常厚度的公差在10nm左右。

本發明得到的應用于紅外敏感元件的紅外濾光片，其Si單晶硅的基板配合表面的鍍 膜層，實現中心波長定位在8000到14000納米，峰值透過率達80％以上，同時一面膜系 結構降到6層，另一面直接為單層膜系結構，大大的簡化了整體結構，從而提高了生產 效率，降低了生產成本。

附圖說明

圖1是實施例整體結構示意圖。

圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。

圖中：第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。

具體實施方式

下面通過實施例結合附圖對本發明作進一步的描述。

實施例1。

如圖1、圖2所示，本實施例描述的本發明所設計的應用于紅外敏感元件的紅外濾 光片，包括成分為Si單晶硅的基板2以及分別位于基板兩側面的第一鍍膜層1和第二鍍 膜層3，所述第一鍍膜層11包含從內向外依次排列的厚度為110納米的Ge層、厚度為 319納米的ZnS層、厚度為149納米的Ge層、厚度為583納米的ZnS層、厚度為1000 納米的YF3層、厚度為239納米的ZnS層、所述第二鍍膜層12是厚度為1100納米的C 層。