[發明專利]氧化鍺預清潔模塊和方法

有效

• 申請號: 201511016858.8
• 申請日: 2015-12-30
• 公開（公告）號: CN105742157B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: J·托爾;M·G·古德曼
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 王永偉;趙蓉民

本發明涉及氧化鍺預清潔模塊和方法。在一些實施方案中，一種用于集成電路制造的方法包括從襯底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包括硅和鍺。去除所述氧化物材料包括將含鹵素的預清潔材料沉積在含氧化硅的表面上，并且升華所述含鹵素的預清潔材料的一部分以暴露所述表面上的硅。將鈍化膜沉積在暴露硅上。所述鈍化膜可包括氯。所述鈍化膜可防止硅表面受來自稍后升華的化學物質污染，稍后升華可在高于較早升華的溫度下。隨后，使所述含鹵素的預清潔材料的剩余部分和所述鈍化膜升華。隨后可將如導電材料的目標材料沉積在襯底表面上。

技術領域

本發明涉及集成電路的制造，具體而言涉及用于預清潔襯底表面的方法和設備。

背景技術

集成電路的制造常常會涉及在襯底表面上一個或多個材料層的形成。這些材料層可包括例如單晶、多晶和/或無定形材料層。材料層的形成可使用各種薄膜沉積技術來實現，所述技術包括各種物理 (例如，物理濺射)和/或化學(例如，化學氣相沉積、原子層沉積和/或外延沉積)沉積技術。舉例來說，襯底表面上的單晶材料形成可使用如用于單晶半導體材料(例如，單晶硅)的形成的外延沉積工藝進行。

襯底表面上居間材料(例如，天然氧化物層，如硅-鍺襯底上包含硅和鍺的氧化物材料層)的存在可能干擾在所述襯底表面上所需材料層的形成。舉例來說，居間材料可能造成在所需材料層的結構中引入增加數目的缺陷，和/或可能不利地影響所需材料層的電性能。在一些實施方案中，如天然氧化物材料的居間材料可能由于在集成電路制造工藝程期間將襯底暴露于氧(例如，在制造系統之間轉移襯底期間暴露于周圍空氣，和/或暴露于制造系統內的殘余氧化劑)而在襯底表面上形成。

因此，對用于在襯底表面上形成高質量層的工藝存在持續需要。

發明內容

一種用于集成電路制造的方法可包括從襯底的表面去除氧化物材料，其中表面包括硅和鍺。去除氧化物材料可包括將含鹵素的預清潔材料沉積在表面上，并且使含鹵素的預清潔材料的一部分升華以暴露表面上的硅?？蓪⑩g化材料沉積在暴露硅上。在一些實施方案中，鈍化材料包含氯。

一種用于集成電路制造的方法可包括從襯底的表面去除氧化物材料，其中襯底包括硅和鍺。去除氧化物材料可包括將含氯的鈍化材料沉積在襯底的表面上，并且使含氯的鈍化材料升華而實質上不蝕刻襯底。

一種用于集成電路制造的方法可包括從襯底的表面去除含鍺的氧化物材料，其中襯底包括鍺。去除含鍺的氧化物材料可包括由含鍺的氧化物材料形成含鹵素和鍺的預清潔材料，并且使含鹵素和鍺的預清潔材料升華。

附圖說明

參照某些實施方案的圖式來描述本公開的各種特征、方面和優勢，所述圖式意圖示出某些實施方案而不限制本發明。

圖1示出襯底表面預清潔工藝的實例。

圖2示出設備的實例，所述設備被配置來進行襯底表面預清潔工藝。

圖3示出暴露于不同襯底表面預清潔工藝的襯底的界面含氧量。

圖4示出暴露于不同襯底表面預清潔工藝的襯底的表面粗糙度。

具體實施方式

本文所述的各種實施方案涉及一種用于從襯底的暴露表面去除氧化物材料的預清潔工藝。應理解，所得的預清潔表面可提供促進材料的高質量層的稍后形成(如硅的外延生長)的表面。