[發(fā)明專利]氧化鍺預清潔模塊和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201511016858.8
• 申請日: 2015-12-30
• 公開（公告）號: CN105742157B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發(fā)明（設計）人: J·托爾;M·G·古德曼
• 申請（專利權(quán)）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 王永偉;趙蓉民

1.一種用于集成電路制造的方法，其包括：

從襯底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包含硅和鍺，并且其中去除所述氧化物材料包括：

將含鹵素的預清潔材料沉積在所述表面上；

選擇性地升華布置于所述襯底的所述硅上的所述含鹵素的預清潔材料的第一部分以暴露所述襯底的所述表面上的硅；

將鈍化材料沉積在所述襯底的所述表面上的被暴露的所述硅上；和

在沉積所述鈍化材料之后，升華所述含鹵素的預清潔材料的第二部分以將含鍺和氧的物質(zhì)從所述表面去除；

其中沉積所述含鹵素的預清潔材料和升華所述含鹵素的預清潔材料的第一部分使含硅及氧的物質(zhì)從所述表面去除。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中升華所述含鹵素的預清潔材料的第二部分包括升華所述鈍化材料。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中：

升華所述含鹵素的預清潔材料的第一部分包含將所述襯底的所述表面加熱至80℃至150℃的溫度；并且

升華所述含鹵素的預清潔材料的第二部分包含將所述襯底的所述表面加熱至320℃至500℃的溫度。

4.一種用于集成電路制造的方法，其包括：

從襯底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包含硅和鍺，并且其中去除所述氧化物材料包括：

將含鹵素的預清潔材料沉積在所述表面上；

選擇性地升華布置于所述襯底的所述硅上的所述含鹵素的預清潔材料的第一部分以暴露所述表面上的所述硅；

將鈍化材料沉積在所述襯底的所述表面上的被暴露的所述硅上；和

升華所述鈍化材料。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中升華所述鈍化材料是在1毫托與50托之間的壓力下進行。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中沉積所述含鹵素的預清潔材料包括將所述襯底暴露于通過遠程等離子體單元活化的含鹵素的氣體。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述含鹵素的氣體包含三氟化氮、氟化氫和雙原子氟中的至少一種。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中沉積所述含鹵素的預清潔材料還包括將所述襯底暴露于含氫的氣體。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述含氫的氣體包含氨氣。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中將所述襯底暴露于所述含氫的氣體包括：

在將所述襯底暴露于所述含氫的氣體之前使所述含氫的氣體流過轉(zhuǎn)移管；和

將所述轉(zhuǎn)移管的至少一部分加熱至30℃至120℃的溫度。

11.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述襯底的所述表面還包含氮化硅，并且其中去除所述氧化物包括相對于所述氮化硅以7:1至20:1的選擇性選擇性地去除所述氧化物材料。

12.如權(quán)利要求4所述的方法，其中升華所述含鹵素的預清潔材料的第一部分包括將所述襯底的所述表面加熱至80℃至150℃的溫度。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其還包括在沉積所述含鹵素的預清潔材料之后，使所述襯底的所述表面的溫度升高。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述鈍化材料包含氯，并且其中沉積所述鈍化材料包括在升高期間使所述襯底暴露于含氯的氣體。

15.如權(quán)利要求4所述的方法，其中沉積所述鈍化材料包括將所述襯底暴露于氯氣、二氯硅烷和氯化氫中的至少一種。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其還包括在升華所述含鹵素的預清潔材料的第一部分期間，將所述襯底暴露于所述氯氣、二氯硅烷和氯化氫中的至少一種。