[發明專利]印刷型發光顯示器及其制備方法

在審

• 申請號: 201511003469.1
• 申請日: 2015-12-25
• 公開（公告）號: CN105552103A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 陳亞文
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種印刷型發光顯示器及其制備方法。

背景技術

在信息社會的當代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器件的重要性在進一步 加強，為了在未來占據主導地位，顯示器件正朝著更輕、更薄、更低能耗、更 低成本以及更好圖像質量的趨勢發展。

由于有機電致發光二極管(OLED)由于其具有自發光、反應快、視角廣、 亮度高、輕薄等優點；而量子點發光二極管(QLED)具有光色純度高、發光量 子效率高、發光顏色易調、使用壽命長等優點，OLED和QLED成為目前顯示器 件研究的兩個主要方向。目前，OLED的制備工藝主要有真空蒸鍍和溶液加工， QLED的制備工藝主要是溶液加工。其中，OLED的真空蒸鍍在小尺寸器件的應用 方面已經較為成熟，目前已處于量產中，但生產成本依然居高不下。OLED和QLED 的溶液加工主要有噴墨打印、噴嘴涂覆、旋涂、絲網印刷等，其中的印刷工藝， 尤其噴墨打印技術由于材料利用率高、可以實現大尺寸化以及易于實現彩色化， 被認為是大尺寸OLED和QLED顯示器件實現低成本量產的重要方式。

驅動TFT陣列是OLED和QLED顯示器的一個重要組成部分。目前，顯示器 件的制備過程通常為：在TFT陣列制作完成后，通過第一次光刻工藝在TFT的 源/漏極上端挖一個孔露出源/漏極，然后沉積一層ITO，隨后通過第二次光刻 工藝將ITO圖案化形成與TFT源/漏極相連的像素電極，在像素電極上制備發光 器件。該方法制作過程較為復雜，除此之外，為了防止ITO像素電極周邊區域 的短路、同時方便定義像素的位置和大小，在ITO像素電極周圍，往往需要制 備一層像素bank。當采用印刷工藝制作該像素bank時，像素bank形成墨水沉 積區域，為了防止墨水溢出，造成相鄰像素的相互串色，還需要對像素bank 進行疏水處理，進一步復雜了制作工藝，增大了制作成本。同時像素bank的制 作額外增加了器件的制備工藝，同時也增大了器件的厚度，不利于顯示器的低 成本生產以及輕薄特性。

發明內容

本發明的目的在于提供一種印刷型發光顯示器，旨在解決現有發光顯示器 需要增設像素bank導致發光顯示器件不夠輕薄、且成本相對高以及制備方法復 雜的問題，以及印刷制作像素bank時、容易造成相鄰像素相互串色的問題。

本發明的另一目的在于提供種一種印刷型發光顯示器的制備方法。

一種印刷型發光顯示器，包括TFT陣列基板，所述TFT陣列基板包括從下 往上依次設置的基板、TFT陣列、鈍化層和平坦層，所述TFT陣列包括多個TFT， 所述TFT包括源/漏極和柵極，所述平坦層為疏水性平坦層，所述疏水性平坦層 上開設有子像素坑，且所述子像素坑的深度小于所述疏水性平坦層的厚度；

所述子像素坑區域下方開設有與所述源/漏極相通的通孔；

所述子像素坑中依次設置有像素電極和發光層，所述發光層上設置有頂電 極，其中，所述像素電極通過所述通孔與所述源/漏極相連。

以及，一種印刷型發光顯示器的制備方法，包括以下步驟：

提供TFT陣列基板，所述TFT陣列基板包括從下往上依次設置的基板、TFT 陣列、以及沉積在所述TFT陣列上的鈍化層和疏水性平坦層，其中，所述TFT 陣列包括多個TFT，所述TFT包括源/漏極和柵極；

在所述疏水性平坦層上沉積光阻；

采用掩膜板對所述光阻進行曝光處理，所述曝光處理包括對用于制作子像 素坑的區域進行半曝光、對所述源/漏極上方用于制作連通所述源/漏極和所述 子像素坑的通孔區域進行全曝光；

對所述光阻的曝光區域進行顯影處理，使得所述全曝光區域的光阻完全去 除、所述半曝光區域形成殘留光阻層；

對所述顯影處理的區域進行干法刻蝕，使得所述疏水性平坦層在半曝光區 域開口形成子像素坑、所述疏水性平坦層和所述鈍化層在全曝光區域開口形成 通孔；

在所述子像素坑中沉積像素電極后，去除未經曝光顯影處理的所述光阻；

在所述像素電極上制作發光器件。