[發明專利]印刷型發光顯示器及其制備方法在審
| 申請號: | 201511003469.1 | 申請日: | 2015-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN105552103A | 公開(公告)日: | 2016-05-04 |
| 發明(設計)人: | 陳亞文 | 申請(專利權)人: | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 印刷 發光 顯示器 及其 制備 方法 | ||
1.一種印刷型發光顯示器,包括TFT陣列基板,所述TFT陣列基板包括從 下往上依次設置的基板、TFT陣列、鈍化層和平坦層,所述TFT陣列包括多個 TFT,所述TFT包括源/漏極和柵極,其特征在于,所述平坦層為疏水性平坦層, 所述疏水性平坦層上開設有子像素坑,且所述子像素坑的深度小于所述疏水性 平坦層的厚度;
所述子像素坑區域下方開設有與所述源/漏極相通的通孔;
所述子像素坑中依次設置有像素電極和發光層,所述發光層上設置有頂電 極,其中,所述像素電極通過所述通孔與所述源/漏極相連。
2.如權利要求1所述的印刷型發光顯示器,其特征在于,所述子像素坑的 深度為1-3μm。
3.如權利要求1所述的印刷型發光顯示器,其特征在于,所述疏水性平坦 層的厚度為2-5μm。
4.如權利要求1-3任一所述的印刷型發光顯示器,其特征在于,所述發光 層包括有機發光層或量子點發光層。
5.如權利要求4所述的印刷型發光顯示器,其特征在于,所述發光層還包 括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴注入層中的至少一層。
6.如權利要求1-3任一所述的印刷型發光顯示器,其特征在于,所述TFT 為非晶硅TFT、多晶硅TFT或金屬氧化物TFT中的一種。
7.如權利要求1-3任一所述的印刷型發光顯示器,其特征在于,所述像素 電極為透明電極或金屬電極,其中,所述透明電極包括導電金屬氧化物。
8.一種印刷型發光顯示器的制備方法,包括以下步驟:
提供TFT陣列基板,所述TFT陣列基板包括從下往上依次設置的基板、TFT 陣列、以及沉積在所述TFT陣列上的鈍化層和疏水性平坦層,其中,所述TFT 陣列包括多個TFT,所述TFT包括源/漏極和柵極;
在所述疏水性平坦層上沉積光阻;
采用掩膜板對所述光阻進行曝光處理,所述曝光處理包括對用于制作子像 素坑的區域進行半曝光、對所述源/漏極上方用于制作連通所述源/漏極和所述 子像素坑的通孔區域進行全曝光;
對所述光阻的曝光區域進行顯影處理,使得所述全曝光區域的光阻完全去 除、所述半曝光區域形成殘留光阻層;
對所述顯影處理的區域進行干法刻蝕,使得所述疏水性平坦層在半曝光區 域開口形成子像素坑、所述疏水性平坦層和所述鈍化層在全曝光區域開口形成 通孔;
在所述子像素坑中沉積像素電極后,去除未經曝光顯影處理的所述光阻;
在所述像素電極上制作發光器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





