[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201511000828.8 | 申請日: | 2011-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN105609126B | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邊相鎮(zhèn);高在范 | 申請(專利權(quán))人: | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | G11C5/04 | 分類號: | G11C5/04;G11C16/20 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置,可以包括:第一芯片ID發(fā)生單元,所述第一芯片ID發(fā)生單元被配置為經(jīng)由第一穿通硅通孔接收使能信號以及經(jīng)由第二穿通硅通孔接收時(shí)鐘信號,并產(chǎn)生第一芯片ID信號和延遲的使能信號;第二芯片ID發(fā)生單元,所述第二芯片ID發(fā)生單元被配置為接收時(shí)鐘信號以及經(jīng)由第三穿通硅通孔從第一芯片ID發(fā)生單元接收延遲的使能信號,并產(chǎn)生第二芯片ID信號;第一芯片選擇信號發(fā)生單元,所述第一芯片選擇信號發(fā)生單元被配置為接收第一芯片ID信號和主ID信號并產(chǎn)生第一芯片選擇信號;以及第二芯片選擇信號發(fā)生單元,所述第二芯片選擇信號發(fā)生單元被配置為接收第二芯片ID信號和主ID信號并產(chǎn)生第二芯片選擇信號。
本申請是申請日為2011年8月31日、申請?zhí)枮镃N 201110254498.0、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體裝置”的中國發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的各個實(shí)施例涉及半導(dǎo)體裝置。具體地,某些實(shí)施例涉及具有對多個芯片執(zhí)行有效的ID(標(biāo)識)分配的多個芯片的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
為了提高半導(dǎo)體裝置的集成度,已開發(fā)了3D(三維)半導(dǎo)體裝置,在所述3D半導(dǎo)體裝置中,多個芯片被層疊并封裝在單個封裝體中以提高集成度。由于3D半導(dǎo)體裝置中包括多個芯片,故它被配置為使得每個芯片能夠由使半導(dǎo)體裝置能夠從所述多個芯片中選擇某個芯片的電信號區(qū)分開。
圖1是示意性地說明包括芯片選擇電路的背景技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的配置的圖。如從圖1可以看出,構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的三個芯片Chip1至Chip3被層疊成未對齊的、類似于臺階的形狀。芯片Chip1至Chip3中的每個分別具有用于接收芯片選擇信號的芯片選擇引腳ChipSelection Pin 1和Chip Selection Pin 2。芯片Chip1至Chip3中的每個分別在兩個芯片選擇引腳Chip Selection Pin 1和Chip Selection Pin 2上施加有兩個電壓VDD和VSS??梢曰谑┘拥膬蓚€電壓VDD和VSS來選擇三個芯片Chip1至Chip3之一。在背景技術(shù)的半導(dǎo)體裝置中,當(dāng)如上所述為每個芯片提供兩個芯片選擇引腳Chip Selection Pin 1和ChipSelection Pin 2時(shí),最多可以對四個芯片進(jìn)行選擇。
然而,由于在背景技術(shù)的半導(dǎo)體裝置中要如上述那樣額外地設(shè)置芯片選擇引腳,因此難以保證芯片的足夠的尺寸(footage),且只可以選擇有限數(shù)量的芯片。此外,為了將電壓VDD和VSS與芯片選擇引腳Chip Selection Pin 1和Chip Selection Pin 2連接,半導(dǎo)體裝置應(yīng)當(dāng)配備有引線,這使得整個電路線路連接復(fù)雜。另外,由于芯片應(yīng)當(dāng)被層疊成未對齊的、類似于臺階的形狀,因此封裝半導(dǎo)體裝置是復(fù)雜且困難的。
近來正在開發(fā)使用穿通硅通孔(TSV)的3D半導(dǎo)體裝置。3D半導(dǎo)體裝置可以包括多個芯片。多個芯片可以經(jīng)由TSV彼此電連接。使用TSV的半導(dǎo)體裝置可以通過層疊相同類型或不同類型的芯片來形成。就此而言,通常通過層疊至少一個主芯片以及結(jié)構(gòu)與主芯片相同的多個從芯片來形成半導(dǎo)體裝置。主芯片具有與從芯片相同或不同的結(jié)構(gòu)。
圖2是示意性地說明使用TSV的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖。如圖2所示,主芯片和多個從芯片可以經(jīng)由TSV彼此電連接。多個從芯片由接收器共同地接收經(jīng)由TSV從主芯片傳送來的數(shù)據(jù)信號。主芯片經(jīng)由TSV接收由收發(fā)器從每個從芯片傳送來的信號。例如,當(dāng)經(jīng)由TSV傳送信號時(shí),所有的從芯片都接收信號,這觸發(fā)所有的從芯片都操作。因此,需要一種僅選擇要操作的從芯片的方法。通過指定要操作的從芯片,即使所有的從芯片都共同地從主芯片接收信號,但只有需要操作的從芯片能夠接收信號并且操作。
發(fā)明內(nèi)容
因此,需要一種可以克服上述問題或缺點(diǎn)中的一個或更多個的改進(jìn)的半導(dǎo)體裝置。具體地,需要一種能夠向構(gòu)成3D半導(dǎo)體裝置的多個芯片分配ID的改進(jìn)的半導(dǎo)體裝置。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于海力士半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)海力士半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201511000828.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:半導(dǎo)體存儲裝置
- 下一篇:音樂播放方法和裝置





