[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201511000828.8 | 申請日： | 2011-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN105609126B | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發明（設計）人： | 邊相鎮;高在范 | 申請（專利權）人： | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號： | G11C5/04 | 分類號： | G11C5/04;G11C16/20 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種包括層疊的第一芯片和第二芯片的半導體裝置，包括：
第一組穿通硅通孔，所述第一組穿通硅通孔被配置為在沿一條直線延伸的同時穿通并連接所述第一芯片和所述第二芯片，并傳送設置在所述第一芯片中的電路所產生的信號；
第一再分配層，所述第一再分配層被配置為將所述第一組穿通硅通孔的第一子穿通硅通孔與設置在所述第二芯片中的電路電連接；以及
第二再分配層，所述第二再分配層被配置為將設置在所述第二芯片中的電路與所述第一組穿通硅通孔的第二子穿通硅通孔電連接。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：
另一個再分配層，所述另一個再分配層被配置為將設置在所述第一芯片中的電路與所述第一組穿通硅通孔的第一子穿通硅通孔電連接。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
金屬線，所述金屬線被配置為將設置在所述第一芯片中的電路與所述另一個再分配層電連接。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：
凸塊和金屬線，所述凸塊和金屬線被配置為將所述第一再分配層和設置在所述第二芯片中的電路電連接。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：
金屬線，所述金屬線被配置為將設置在所述第二芯片中的電路與所述第二再分配層電連接。
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