[發明專利]一種用于氮化硅基底的銀漿及其制備方法在審
| 申請號: | 201511000299.1 | 申請日: | 2015-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN105469857A | 公開(公告)日: | 2016-04-06 |
| 發明(設計)人: | 魏昂;李劭陽;王小龍 | 申請(專利權)人: | 蘇州華一新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01B1/22 | 分類號: | H01B1/22;H01B13/00;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 仇波 |
| 地址: | 215433 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 氮化 基底 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于氮化硅基底的銀漿,其特征在于,它包括以下質量分數的組分:
納米銀顆粒60~70%;
環氧樹脂10~20%;
松油醇3~8%;
非離子表面活性劑3~8%;
乙基纖維素1~5%;
氧化鉛1~5%;
玻璃粉1~8%。
2.根據權利要求1所述的用于氮化硅基底的銀漿,其特征在于,它包括以下質量分數的組分:
納米銀顆粒68.5%;
環氧樹脂15%;
松油醇5%;
非離子表面活性劑5%;
乙基纖維素2%;
氧化鉛1.5%;
玻璃粉3%。
3.根據權利要求1所述的用于氮化硅基底的銀漿,其特征在于:所述納米銀顆粒的粒徑為30nm~50nm。
4.權利要求1至3中任一所述用于氮化硅基底的銀漿的制備方法,其特征在于,它包括以下步驟:
(a)制備納米銀顆粒;
(b)將所述納米銀顆粒與其它配方組分混合制得納米銀漿。
5.根據權利要求4所述用于氮化硅基底的銀漿的制備方法,其特征在于,它還包括步驟(c)將所述納米銀漿印制于氮化硅基底上進行熱退火。
6.根據權利要求4所述用于氮化硅基底的銀漿的制備方法,其特征在于:步驟(a)中,所述納米銀顆粒是將銀氨溶液和反應液混合后再加入還原劑反應制得。
7.根據權利要求4或6所述用于氮化硅基底的銀漿的制備方法,其特征在于:步驟(b)中,所述納米銀顆粒與其它配方組分混合為向所述納米銀顆粒依次加入環氧樹脂、松油醇、非離子表面活性劑、乙基纖維素、碘化鉛和玻璃粉。
8.根據權利要求6所述用于氮化硅基底的銀漿的制備方法,其特征在于:所述銀氨溶液由硝酸銀、去離子水和濃氨水混合攪拌制得;所述反應液由聚乙烯吡咯烷酮、氨水和去離子水混合攪拌制得。
9.根據權利要求5所述用于氮化硅基底的銀漿的制備方法,其特征在于:所述退火溫度為700~800℃,且退火過程中采用階梯型升溫和階梯型降溫:于300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃分別保溫10min、9min、8min、7min、6min、5min。
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