[發明專利]一種硅控整流器

在審

• 申請號: 201510984780.2
• 申請日: 2015-12-24
• 公開（公告）號: CN105448908A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 王源;張立忠;何燕冬;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種硅控整流器，其特征在于，包括：P型襯底，所述P型襯底上從左到右依次設有第一N阱區、第二N阱區、第三N阱區、第四N阱區以及第五N阱區；

所述第一N阱區、所述第二N阱區、所述第三N阱區、所述第四N阱區以及所述第五N阱區依次連接；

其中，

在五個N阱區中有兩個相鄰的N阱區之間的導電區的長度可調。

2.根據權利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述長度可調的導電區為任意兩個相鄰N阱區之間的導電區。

3.根據權利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述第一N阱區的左右分別設有第一P+摻雜區和第一N+摻雜區；

所述第二N阱區的左右分別設有第二P+摻雜區和第二N+摻雜區；

所述第三N阱區的左右分別設有第三P+摻雜區和第三N+摻雜區；

所述第四N阱區的左右分別設有第四P+摻雜區和第四N+摻雜區；

所述第五N阱區的左右分別設有第五P+摻雜區和第五N+摻雜區；

其中，所述第一P+摻雜區設有漏電極，所述第五N+摻雜區設有第一源電極，所述第一源電極接地，所述漏電極為靜電輸入端V_ESD。

4.根據權利要求3所述的硅控整流器，其特征在于，還包括：第六P+摻雜區和第六N+摻雜區；

所述第六P+摻雜區和所述第六N+摻雜區分別設有第二源電極和第三源電極；

其中，所述第二源電極和所述第三源電極均接地。

5.根據權利要求3所述的硅控整流器，其特征在于，所述N+摻雜區用于注入N+摻雜。

6.根據權利要求3所述的硅控整流器，其特征在于，所述P+摻雜區用于注入P+摻雜。

7.根據權利要求4所述的硅控整流器，其特征在于，還包括：位于所述P型襯底表面的導電區；

所述導電區包括第一導電區、第二導電區、第三導電區和第四導電區；

所述第一導電區分別與所述第一N+摻雜區與所述第二P+摻雜區連接；

所述第二導電區分別與所述第二N+摻雜區與所述第三P+摻雜區連接；

所述第三導電區分別與所述第三N+摻雜區與所述第四P+摻雜區連接；

所述第四導電區分別與所述第四N+摻雜區與所述第五P+摻雜區連接。

8.根據權利要求7所述的硅控整流器，其特征在于，所述導電區為金屬導電區。

9.根據權利要求6所述的硅控整流器，其特征在于，所述金屬導電區的導電材料為銅。

10.根據權利要求1～9任一項所述的硅控整流器，其特征在于，所述N阱區用于注入N型摻雜。