[發(fā)明專利]一種晶圓參數(shù)的修調(diào)方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510979581.2 | 申請日: | 2015-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN105551993B | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐四九 | 申請(專利權(quán))人: | 上海威伏半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31253 | 代理人: | 馮子玲 |
| 地址: | 201703 上海市青浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓 檔位 線性公式 參數(shù)值確定 測量 預(yù)設(shè) 種晶 擬合 | ||
本發(fā)明公開了一種晶圓參數(shù)的修調(diào)方法及裝置,所述方法包括:根據(jù)晶圓參數(shù)值和晶圓參數(shù)檔位值擬合線性公式;測量第N個實際晶圓參數(shù)值;根據(jù)線性公式、第N個實際晶圓參數(shù)值、第N個晶圓參數(shù)檔位值及目標(biāo)晶圓參數(shù)值確定第N+1個晶圓參數(shù)檔位值;測量第N+1個實際晶圓參數(shù)值;根據(jù)線性公式、第N+1個實際晶圓參數(shù)值、第N+1個晶圓參數(shù)檔位值及目標(biāo)晶圓參數(shù)值確定第N+2個晶圓參數(shù)檔位值;測量第N+2個實際晶圓參數(shù)值;確定第N+2個實際晶圓參數(shù)值與目標(biāo)晶圓參數(shù)值的差值的絕對值是否小于第一預(yù)設(shè)值;在小于第一預(yù)設(shè)值時,將第N+2個晶圓參數(shù)檔位值四舍五入后的值確定為目標(biāo)晶圓參數(shù)檔位值。本發(fā)明的修調(diào)時間端,提高了修調(diào)效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶圓制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種晶圓參數(shù)的修調(diào)方法及裝置。
背景技術(shù)
晶圓在制造過程中,由于其制作工藝存在一定的離散性,因此不能保證晶圓的關(guān)鍵參數(shù)的一致性,鑒于此,在制造晶圓時,通常將每一個關(guān)鍵參數(shù)均做出多檔,然后在后期晶圓測試時,在每一個關(guān)鍵參數(shù)的多檔中確定出與目標(biāo)參數(shù)最接近的一檔,即為晶圓參數(shù)的修調(diào)。
現(xiàn)有技術(shù)中,通常采用掃描法來實現(xiàn)晶圓參數(shù)的修調(diào),若需要修調(diào)的參數(shù)為內(nèi)部RC振蕩器的輸出頻率,且做出256檔內(nèi)部RC振蕩器的輸出頻率,在修調(diào)時,需要從第1檔掃描至第256檔,共需要256步,然后將掃描結(jié)果進(jìn)行比對,確定出與目標(biāo)參數(shù)最接近的一檔,完成晶圓內(nèi)部RC振蕩器的輸出頻率的修調(diào),其他參數(shù)的修調(diào)方法與上述相同,在此不再贅述。
但上述晶圓參數(shù)的修調(diào)方法需要對每一檔進(jìn)行掃描,修調(diào)步驟較多,修調(diào)時間長,從而降低了修調(diào)效率。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種晶圓參數(shù)的修調(diào)方法,其修調(diào)時間短,提高了修調(diào)效率。
本發(fā)明通過以下技術(shù)手段解決上述問題:
本發(fā)明的一種晶圓參數(shù)的修調(diào)方法,包括:根據(jù)晶圓參數(shù)值和晶圓參數(shù)檔位值擬合線性公式;其中,所述晶圓參數(shù)檔位的數(shù)量大于等于2;測量第N個晶圓參數(shù)檔位值對應(yīng)的第N個實際晶圓參數(shù)值;其中,所述N為正整數(shù);根據(jù)所述線性公式、所述第N個實際晶圓參數(shù)值、所述第N個晶圓參數(shù)檔位值及預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)晶圓參數(shù)值確定第N+1個晶圓參數(shù)檔位值;測量第N+1個晶圓參數(shù)檔位值對應(yīng)的第N+1個實際晶圓參數(shù)值;根據(jù)所述線性公式、所述第N+1個實際晶圓參數(shù)值、所述第N+1個晶圓參數(shù)檔位值及預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)晶圓參數(shù)值確定第N+2個晶圓參數(shù)檔位值;測量第N+2個晶圓參數(shù)檔位值對應(yīng)的第N+2個實際晶圓參數(shù)值;確定所述第N+2個實際晶圓參數(shù)值與所述目標(biāo)晶圓參數(shù)值的差值的絕對值是否小于第一預(yù)設(shè)值;在確定所述第N+2個實際晶圓參數(shù)值與所述目標(biāo)晶圓參數(shù)值的差值的絕對值小于第一預(yù)設(shè)值時,將所述第N+2個晶圓參數(shù)檔位值四舍五入后的值確定為目標(biāo)晶圓參數(shù)檔位值。
進(jìn)一步,在所述將所述第N+2個晶圓參數(shù)檔位值四舍五入后的值確定為目標(biāo)晶圓參數(shù)檔位值之后,還包括:根據(jù)擬合公式和所述目標(biāo)晶圓參數(shù)檔位值確定實際晶圓參數(shù)檔位值,并將所述實際晶圓參數(shù)檔位值寫入所述晶圓中。
進(jìn)一步,晶圓參數(shù)包括RC振蕩器的輸出頻率、低壓差線性穩(wěn)壓器輸出的電壓及參考電流。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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