[發明專利]一種晶圓參數的修調方法及裝置

有效

• 申請號: 201510979581.2
• 申請日: 2015-12-23
• 公開（公告）號: CN105551993B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 徐四九
• 申請（專利權）人: 上海威伏半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海精晟知識產權代理有限公司 31253
• 代理人: 馮子玲

1.一種晶圓參數的修調方法，其特征在于：包括：

根據晶圓參數值和晶圓參數檔位值擬合線性公式；其中，晶圓參數檔位的數量大于等于2；

測量第N個晶圓參數檔位值對應的第N個實際晶圓參數值；其中，所述N為正整數；

根據所述線性公式、所述第N個實際晶圓參數值、所述第N個晶圓參數檔位值及預先設定的目標晶圓參數值確定第N+1個晶圓參數檔位值；

測量第N+1個晶圓參數檔位值對應的第N+1個實際晶圓參數值；

根據所述線性公式、所述第N+1個實際晶圓參數值、所述第N+1個晶圓參數檔位值及預先設定的目標晶圓參數值確定第N+2個晶圓參數檔位值；

測量第N+2個晶圓參數檔位值對應的第N+2個實際晶圓參數值；

確定所述第N+2個實際晶圓參數值與所述目標晶圓參數值的差值的絕對值是否小于第一預設值；

在確定所述第N+2個實際晶圓參數值與所述目標晶圓參數值的差值的絕對值小于第一預設值時，將所述第N+2個晶圓參數檔位值四舍五入后的值確定為目標晶圓參數檔位值。

2.根據權利要求1所述的晶圓參數的修調方法，其特征在于：在所述將所述第N+2個晶圓參數檔位值四舍五入后的值確定為目標晶圓參數檔位值之后，還包括：

根據擬合公式和所述目標晶圓參數檔位值確定實際晶圓參數檔位值，并將所述實際晶圓參數檔位值寫入所述晶圓中。

3.根據權利要求2所述的晶圓參數的修調方法，其特征在于：晶圓參數包括RC振蕩器的輸出頻率、低壓差線性穩壓器輸出的電壓及參考電流。

4.根據權利要求3所述的晶圓參數的修調方法，其特征在于：所述線性公式包括：y＝bx+a；

其中，b為線性系數，a為常數，x為晶圓參數檔位值，y為晶圓參數值；

所述根據所述線性公式、所述第N個實際晶圓參數值、所述第N個晶圓參數檔位值及預先設定的目標晶圓參數值確定第N+1個晶圓參數檔位值包括：

根據公式x_N+1＝x_N-(y_N-y_T)/b確定第N+1個晶圓參數檔位值；

其中，x_N為第N個晶圓參數檔位值，y_N為第N個實際晶圓參數值，y_T為目標晶圓參數值，x_N+1為第N+1個晶圓參數檔位值；

所述根據所述線性公式、所述第N+1個實際晶圓參數值、所述第N+1個晶圓參數檔位值及預先設定的目標晶圓參數值確定第N+2個晶圓參數檔位值包括：

根據公式x_N+2＝x_N+1-(y_N+1-y_T)/b確定第N+2個晶圓參數檔位值；

其中，y_N+1為第N+1個實際晶圓參數值，x_N+2為第N+2個晶圓參數檔位值。

5.一種晶圓參數的修調裝置，其特征在于：包括：

處理單元，用于根據晶圓參數值和晶圓參數檔位值擬合線性公式；其中，晶圓參數檔位的數量大于等于2；

測量單元，用于測量第N個晶圓參數檔位值對應的第N個實際晶圓參數值；其中，所述N為正整數；

確定單元，用于根據所述線性公式、所述第N個實際晶圓參數值、所述第N個晶圓參數檔位值及預先設定的目標晶圓參數值確定第N+1個晶圓參數檔位值；

所述測量單元，還用于測量第N+1個晶圓參數檔位值對應的第N+1個實際晶圓參數值；

所述確定單元，還用于根據所述線性公式、所述第N+1個實際晶圓參數值、所述第N+1個晶圓參數檔位值及預先設定的目標晶圓參數值確定第N+2個晶圓參數檔位值；

所述測量單元，還用于測量第N+2個晶圓參數檔位值對應的第N+2個實際晶圓參數值；

所述確定單元，還用于確定所述第N+2個實際晶圓參數值與所述目標晶圓參數值的差值的絕對值是否小于第一預設值；

所述處理單元，還用于在所述確定單元確定所述第N+2個實際晶圓參數值與所述目標晶圓參數值的差值的絕對值小于第一預設值時，將所述第N+2個晶圓參數檔位值四舍五入后的值確定為目標晶圓參數檔位值。