[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件制造方法及由該方法制得的半導(dǎo)體器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510978986.4
• 申請(qǐng)日: 2015-12-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105529272A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫曉儒;陳虞平;王熹偉;劉海波;胡興正
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 福建省福芯電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 福州市景弘專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;呂元輝

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在N型襯底上生長(zhǎng)一層N型外延層；

在N型外延層上生長(zhǎng)一層本征外延層；

在本征外延層上注入N型雜質(zhì)；

在本征外延層的預(yù)定位置上注入P型雜質(zhì)；

重復(fù)上述第二到第四步驟；

進(jìn)行熱退火；

在上述預(yù)定位置上注入P型阱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述 N型外延層的電阻率為5～20Ω.cm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，步驟 “在本征外延層的預(yù)定位置上注入P型雜質(zhì)”包括：

在本征外延層上用光刻膠作為阻擋層進(jìn)行預(yù)定位置的P型雜質(zhì)注入。

4.一種由權(quán)利要求1到3任意一項(xiàng)所述的一種半導(dǎo)體器件制造方法制得 的半導(dǎo)體器件。