[發明專利]半導體集成電路器件

有效

• 申請號: 201510973927.8
• 申請日: 2006-04-19
• 公開（公告）號: CN105577145B
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 菅野雄介;田中一雄;豐島俊輔;戶羽健夫
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03K3/356
• 分類號: H03K3/356;H03K19/0185;H01L27/092;H01L27/105
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

1.一種半導體集成電路器件，包括：

電路，所述電路輸出在接地電壓和高于所述接地電壓的第一電源電壓之間轉變的第一信號；

輸出電路，包括：升電平轉換器，所述升電平轉換器接收所述第一信號并且輸出在所述接地電壓和高于所述第一電源電壓的第三電源電壓之間轉變的第二信號；前置緩沖器，所述前置緩沖器接收所述第二信號并且輸出在所述接地電壓和所述第三電源電壓之間轉變的第三信號；以及主緩沖器，所述主緩沖器接收所述第三信號并且輸出在所述接地電壓和第二電源電壓之間轉變的第四信號，所述第二電源電壓處于所述第一電源電壓和所述第三電源電壓之間，

其中所述電路被提供有所述接地電壓和所述第一電源電壓，

其中所述升電平轉換器和所述前置緩沖器被提供有所述接地電壓和所述第三電源電壓，

其中所述主緩沖器被提供有所述接地電壓和所述第二電源電壓，以及

其中所述前置緩沖器的驅動力大于所述升電平轉換器的驅動力。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路器件，

其中所述電路包括被提供有所述第一電源電壓的第一晶體管，

其中所述輸出電路包括被提供有所述第三電源電壓的第二晶體管和被提供有所述第二電源電壓的第三晶體管，

其中每個所述第一晶體管具有柵極絕緣膜，該柵極絕緣膜具有第一膜厚，

其中每個所述第二晶體管和每個所述第三晶體管具有柵極絕緣膜，該柵極絕緣膜具有大于所述第一膜厚的第二膜厚。

3.根據權利要求2所述的半導體集成電路器件，

其中所述第二晶體管的襯底電位等于所述第三晶體管的襯底電位，以及

其中所述第二晶體管的第一導電類型的晶體管的閾值電壓高于所述第三晶體管的第一導電類型的晶體管的閾值電壓。

4.根據權利要求2所述的半導體集成電路器件，

其中所述第二晶體管的襯底電位與所述第三晶體管的襯底電位不同，以及

其中所述第二晶體管的第一導電類型的晶體管的閾值電壓等于所述第三晶體管的第一導電類型的晶體管的閾值電壓。

5.根據權利要求2所述的半導體集成電路器件，

其中所述第二晶體管的襯底電位與所述第三晶體管的襯底電位不同，以及

其中所述第二晶體管的第一導電類型的晶體管的閾值電壓高于所述第三晶體管的第一導電類型的晶體管的閾值電壓。

6.根據權利要求1所述的半導體集成電路器件，還包括：

ESD電路，所述ESD電路防止所述半導體集成電路器件外部的靜電破壞，

其中所述ESD電路包括與被提供有所述第二電源電壓的輸入/輸出電路的晶體管相同類型的晶體管。

7.一種半導體集成電路器件，包括：

第一電路，所述第一電路輸出在接地電壓和高于所述接地電壓的第一電源電壓之間轉變的第一信號；

第一轉換電路，所述第一轉換電路接收所述第一信號并且輸出在所述接地電壓和高于所述第一電源電壓的第三電源電壓之間轉變的第二信號；

第一輸出電路，所述第一輸出電路接收所述第二信號并且輸出在所述接地電壓和高于所述第一電源電壓和所述第三電源電壓的第四電源電壓之間轉變的第三信號；

第二電路，所述第二電路輸出在所述接地電壓和所述第一電源電壓之間轉變的第四信號；

第二轉換電路，所述第二轉換電路接收所述第四信號并且輸出在所述接地電壓和所述第三電源電壓之間轉變的第五信號；以及

第二輸出電路，所述第二輸出電路接收所述第五信號并且輸出在所述接地電壓和第二電源電壓之間轉變的第六信號，所述第二電源電壓處于所述第一電源電壓和所述第四電源電壓之間；

其中所述第一電路和所述第二電路被提供有所述接地電壓和所述第一電源電壓，

其中所述第一轉換電路和所述第二轉換電路被提供有所述接地電壓和所述第三電源電壓，

其中所述第一輸出電路被提供有所述接地電壓和所述第四電源電壓，以及

其中所述第二輸出電路被提供有所述接地電壓和所述第二電源電壓。