[發(fā)明專利]一種相似器電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510973720.0
• 申請日: 2015-12-22
• 公開（公告）號: CN105595962B
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李文石
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號: A61B5/00
• 分類號: A61B5/00;A61B5/0476
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

本申請公開了一種相似器電路。該電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的下方是單只MOS管放大電路，上方是負(fù)載計算的同或邏輯電路，總共應(yīng)用5只MOS管組成，其結(jié)構(gòu)簡單。該相似器主要依賴依據(jù)近零閾值NMOS管共柵放大的壓控電流指數(shù)響應(yīng)特性，可以較大地縮小MOS管的超大寬長比以及降低供電電壓等級，從而用于處理識別人的皮層腦電信號。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電子電路設(shè)計領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種相似器電路。

背景技術(shù)

近年來，隨著微型智能探頭的急需，超低電壓微電子學(xué)備受青睞。相似器(Similaritor)作為模擬電路大家族的新型模塊，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的下方是單只MOS管放大電路，上方是負(fù)載計算的同或邏輯電路，結(jié)構(gòu)簡潔。

相似器用于實現(xiàn)計算兩輸入模擬信號a和b的(a·b)/(a+b)運算，即乘法、除法、加法的聯(lián)算，通常需要的乘、除和加的單個模塊都是相對復(fù)雜的，供電電壓一般也是大于1V的。由于當(dāng)前的信號處理器的供電電壓的等級較高，因而不能用于處理識別人的皮層腦電信號。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N相似器電路，以在超低供電電壓下實現(xiàn)兩輸入模擬信號的運算，從而用于處理識別人的皮層腦電信號。

為了實現(xiàn)上述目的，現(xiàn)提出的方案如下：

一種相似器電路，包括：第一NOMS管、第二NMOS管、第三NOMS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；

所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NOMS管、第一PMOS管以及第二PMOS管均為大寬長比的近零閾值MOS管；

其中，所述第一NMOS管的襯底與源極串聯(lián)后與地短接相連，柵極與供電電壓端相連；

所述第一NMOS管的漏極、所述第二NMOS管的襯底和源極，所述第一PMOS管的漏極，以及所述第二PMOS管的襯底與源極中任意兩個接線端均相連；

所述第一PMOS管的襯底和源極串聯(lián)后與供電電壓端相連，所述第一PMOS管的柵極與所述第二NMOS管的柵極相連，且公共端作為第一信號輸入端；

第三NMOS管的襯底和源極串聯(lián)后與所述第一信號輸入端相連；

所述第三NMOS管的柵極和所述第二PMOS管柵極相連，且公共端作為第二信號輸入端，所述第二NMOS管的漏極與所述第二信號輸入端相連；

所述第三NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極相連，且公共端作為信號輸出端。

優(yōu)選的，還包括：一端與所述信號輸出端相連，另一端接地的負(fù)載電阻。

優(yōu)選的，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管以及所述第三NMOS管的寬長比為500μm/180nm；

所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的寬長比為1mm/180nm。

優(yōu)選的，所述負(fù)載電阻的阻值為20kΩ～1MΩ。

一種相似電路，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；

其中，所述第一NMOS管的襯底和源極串聯(lián)后與地短接相連，柵極與供電電壓端相連；

所述第一NMOS管的漏極、所述第二NMOS管的源極、所述第一PMOS管的漏極以及所述第二PMOS管的源極中任意兩個接線端相連均相連；

所述第一PMOS管的襯底與所述第二NMOS管的柵極相連，且公共端作為第一信號輸入端，所述第一信號輸入端與所述第三NMOS管的漏極相連；

所述第二NMOS管的漏極與所述第三NMOS管的柵極相連，且公共端作為第二信號輸入端，所述第二信號輸入端與所述第二PMOS管的襯底相連；