[發明專利]一種相似器電路有效
| 申請號： | 201510973720.0 | 申請日： | 2015-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN105595962B | 公開（公告）日： | 2018-08-07 |
| 發明（設計）人： | 李文石 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | A61B5/00 | 分類號： | A61B5/00;A61B5/0476 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215137 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相似 電路 | ||
1.一種相似器電路，其特征在于，包括：第一NOMS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；
所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管均為大寬長比的近零閾值MOS管；
其中，所述第一NMOS管的襯底與源極串聯后與地短接相連，柵極與供電電壓端相連；
所述第一NMOS管的漏極、所述第二NMOS管的襯底和源極，所述第一PMOS管的漏極，以及所述第二PMOS管的襯底與源極中任意兩個接線端均相連；
所述第一PMOS管的襯底和源極串聯后與供電電壓端相連，所述第一PMOS管的柵極與所述第二NMOS管的柵極相連，且公共端作為第一信號輸入端；
第三NMOS管的襯底和源極串聯后與所述第一信號輸入端相連；
所述第三NMOS管的柵極和所述第二PMOS管柵極相連，且公共端作為第二信號輸入端，所述第二NMOS管的漏極與所述第二信號輸入端相連；
所述第三NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極相連，且公共端作為信號輸出端。
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，還包括：一端與所述信號輸出端相連，另一端接地的負載電阻。
3.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管以及所述第三NMOS管的寬長比為500μm/180nm；
所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的寬長比為1mm/180nm。
4.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述負載電阻的阻值為20kΩ～1MΩ。
5.一種相似電路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第三NOMS管為近零閾值MOS管；
其中，所述第一NMOS管的襯底和源極串聯后與地短接相連，柵極與供電電壓端相連；
所述第一NMOS管的漏極、所述第二NMOS管的源極、所述第一PMOS管的漏極以及所述第二PMOS管的源極中任意兩個接線端相連均相連；
所述第一PMOS管的襯底與所述第二NMOS管的柵極相連，且公共端作為第一信號輸入端，所述第一信號輸入端與所述第三NMOS管的漏極相連；
所述第二NMOS管的漏極與所述第三NMOS管的柵極相連，且公共端作為第二信號輸入端，所述第二信號輸入端與所述第二PMOS管的襯底相連；
所述第三NMOS管的源極與所述第二PMOS管的漏極相連，且公共端作為信號輸出端；
所述第二NMOS管的襯底、所述第三NMOS管的襯底和所述第二PMOS管的柵極均與供電電壓端相連。
6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，還包括：一端與所述信號輸出端相連，另一端接地的負載電阻。
7.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述第一NMOS管的寬長比為50μm/180nm，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管的寬長比為300μm/180nm，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的寬長比為500μm/180nm。
8.根據權利要求6所述的電路，其特征在于，所述負載電阻的阻值為20kΩ～1MΩ。
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