[發明專利]電壓調整、高壓產生和存儲器電路

有效

• 申請號: 201510971817.8
• 申請日: 2015-12-22
• 公開（公告）號: CN105404346B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

技術領域

本發明涉及電子領域，尤其涉及一種電壓調整、高壓產生和存儲器電路。

背景技術

如圖1所示，現有高壓產生電路包括：電壓調整電路10、第一電荷泵20、第二電荷泵30、傳輸ZMOS管Z0和穩壓器40。所述高壓產生電路適于提供高壓編程電壓至存儲器50。所述傳輸ZMOS管Z0的閾值電壓-0.1V～0.5V。

第一電荷泵20的電源端接收由低壓差線性穩壓器提供的第一電壓Vdd，第二電荷泵30的電源端接收外部電源提供的第二電壓Vddq。

所述電壓調整電路10包括分壓電路110、比較器120和NMOS管MN10。比較器120根據分壓電路110的第二輸出端的電壓Vrdet和參考電壓Vref的大小比較結果輸出使能信號至第一電荷泵20的使能端Pump_en，從而調節第一電荷泵20的輸出端電壓Vr，使得比較器120的第一輸入端電壓Vrdet與參考電壓Vref相等。NMOS管MN10的柵極連接所述電壓調整電路10的使能端EN，從而接收所述電壓調整電路10使能信號來控制電壓調整電路10是否工作。

當比較器120的第一輸入端電壓Vrdet與參考電壓Vref相等時，傳輸ZMOS管Z0的源極電壓Vep＝K*Vref+Vgsz0。K為分壓電路110的分壓系數，Vref為參考電壓的電壓值，Vgsz0為傳輸ZMOS管的柵極和源極的電壓差值。

傳輸ZMOS管Z0的柵極和源極的電壓差值在各個工藝條件和溫度下偏差較大，造成提供給存儲器50的高壓編程電壓在各個工藝條件和溫度下偏壓也比較大，這對存儲器50的性能和可靠性不利。

發明內容

本發明解決的問題是現有高壓產生電路提供的電壓在各個工藝條件和溫度下偏壓較大。

為解決上述問題，本發明提供一種電壓調整電路，包括：第一ZMOS管、分壓電路、第一NMOS管和比較器；所述第一ZMOS管的柵極連接所述第一ZMOS管的漏極，所述第一ZMOS管的源極連接所述分壓電路的輸入端；所述第一NMOS管的漏極連接所述分壓電路的第一輸出端，所述第一NMOS管的源極接地；所述比較器的第一輸入端連接所述分壓電路的第二輸出端，所述比較器的第二輸入端適于接收參考電壓。

可選的，所述參考電壓為0.7V～1V。

可選的，所述分壓電路包括：M個第一PMOS管，M≥2；第1個第一PMOS管的源極連接所述分壓電路的輸入端；第m個第一PMOS管的源極連接第m-1個第一PMOS管的柵極和第m-1個第一PMOS管的漏極，M≥m≥2；第M個第一PMOS管的漏極連接所述分壓電路的第一輸出端；所述M個第一PMOS管中的一個第一PMOS管的源極連接所述分壓電路的第二輸出端。

可選的，所述電壓調整電路還包括：至少一個補償單元；所述補償單元的第一連接端連接所述第一ZMOS管的漏極，所述補償單元的第二連接端連接所述第一ZMOS管的源極；所述補償單元包括：第二ZMOS管和第二PMOS管；所述第二ZMOS管的漏極連接所述第二ZMOS管的柵極和所述補償單元的第一連接端，所述第二ZMOS管的源極連接所述第二PMOS管的源極；所述第二PMOS管的漏極連接所述補償單元的第二連接端。

本發明還提供一種高壓產生電路，包括：第一電荷泵、第二電荷泵、第三ZMOS管和上述電壓調整電路；所述第一電荷泵的輸入端連接所述第二電荷泵的輸出端和所述第三ZMOS管的漏極，所述第一電荷泵的輸出端連接所述第三ZMOS管的柵極和所述電壓調整電路中第一ZMOS管的漏極，所述第一電荷泵的使能端連接所述電壓調整電路中比較器的輸出端。

可選的，所述第一ZMOS管和第三ZMOS管均為N型，所述第一ZMOS管和第三ZMOS管的溝道長度相同，所述第一ZMOS管和第三ZMOS管的溝道寬度相同。

可選的，高壓產生電路還包括：至少一個補償單元；所述補償單元的第一連接端連接所述第一ZMOS管的漏極，所述補償單元的第二連接端連接所述第一ZMOS管的源極；所述補償單元包括：第二ZMOS管和第二PMOS管；所述第二ZMOS管的漏極連接所述第二ZMOS管的柵極和所述補償單元的第一連接端，所述第二ZMOS管的源極連接所述第二PMOS管的源極；所述第二PMOS管的漏極連接所述補償單元的第二連接端。

可選的，所述第一ZMOS管和第二ZMOS管均為N型，所述第一ZMOS管和第二ZMOS管的溝道長度相同，所述第一ZMOS管和第二ZMOS管的溝道寬度相同。