[發(fā)明專利]電壓調(diào)整、高壓產(chǎn)生和存儲器電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510971817.8
• 申請日: 2015-12-22
• 公開（公告）號: CN105404346B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊光軍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

1.一種電壓調(diào)整電路，其特征在于，包括：第一ZMOS管、分壓電路、第一NMOS管和比較器；

所述第一ZMOS管的柵極連接所述第一ZMOS管的漏極，所述第一ZMOS管的源極連接所述分壓電路的輸入端；

所述第一NMOS管的漏極連接所述分壓電路的第一輸出端，所述第一NMOS管的源極接地，所述第一NMOS管的柵極適于接收控制所述電壓調(diào)整電路是否工作的使能信號；

所述比較器的第一輸入端連接所述分壓電路的第二輸出端，所述比較器的第二輸入端適于接收參考電壓，所述比較器的輸出端為所述電壓調(diào)整電路的輸出端。

2.如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于，所述參考電壓為0.7V～1V。

3.如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于，所述分壓電路包括：M個第一PMOS管，M≥2；

第1個第一PMOS管的源極連接所述分壓電路的輸入端；

第m個第一PMOS管的源極連接第m-1個第一PMOS管的柵極和第m-1個第一PMOS管的漏極，M≥m≥2；

第M個第一PMOS管的漏極連接第M個第一PMOS管的柵極和所述分壓電路的第一輸出端；

所述M個第一PMOS管中的一個第一PMOS管的源極連接所述分壓電路的第二輸出端。

4.如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于，還包括：至少一個補償單元；

所述補償單元的第一連接端連接所述第一ZMOS管的漏極，所述補償單元的第二連接端連接所述第一ZMOS管的源極；

所述補償單元包括：第二ZMOS管和第二PMOS管；

所述第二ZMOS管的漏極連接所述第二ZMOS管的柵極和所述補償單元的第一連接端，所述第二ZMOS管的源極連接所述第二PMOS管的源極；

所述第二PMOS管的漏極連接所述補償單元的第二連接端，所述第二PMOS管的柵極適于接收控制所述第二PMOS管是否處于導(dǎo)通狀態(tài)的信號。

5.一種高壓產(chǎn)生電路，其特征在于，包括：第一電荷泵、第二電荷泵、第三ZMOS管和權(quán)利要求1至3任一權(quán)利要求所述的電壓調(diào)整電路；

所述第一電荷泵的輸入端連接所述第二電荷泵的輸出端和所述第三ZMOS管的漏極，所述第一電荷泵的輸出端連接所述第三ZMOS管的柵極和所述電壓調(diào)整電路中第一ZMOS管的漏極，所述第一電荷泵的使能端連接所述電壓調(diào)整電路中比較器的輸出端，所述第三ZMOS管的源極作為所述高壓產(chǎn)生電路的一個輸出端。

6.如權(quán)利要求5所述的高壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一ZMOS管和第三ZMOS管均為N型，所述第一ZMOS管和第三ZMOS管的溝道長度相同，所述第一ZMOS管和第三ZMOS管的溝道寬度相同。

7.如權(quán)利要求5所述的高壓產(chǎn)生電路，其特征在于，包括：至少一個補償單元；

所述補償單元的第一連接端連接所述第一ZMOS管的漏極，所述補償單元的第二連接端連接所述第一ZMOS管的源極；

所述補償單元包括：第二ZMOS管和第二PMOS管；

所述第二ZMOS管的漏極連接所述第二ZMOS管的柵極和所述補償單元的第一連接端，所述第二ZMOS管的源極連接所述第二PMOS管的源極；

所述第二PMOS管的漏極連接所述補償單元的第二連接端，所述第二PMOS管的柵極適于接收控制所述第二PMOS管是否處于導(dǎo)通狀態(tài)的信號。

8.如權(quán)利要求7所述的高壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一ZMOS管和第二ZMOS管均為N型，所述第一ZMOS管和第二ZMOS管的溝道長度相同，所述第一ZMOS管和第二ZMOS管的溝道寬度相同。

9.如權(quán)利要求7所述的高壓產(chǎn)生電路，其特征在于，還包括：控制電路；

所述第三ZMOS管的源極適于連接存儲器；

所述控制電路適于控制N個補償單元中的第二PMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述N等于所述存儲器中需要編程的位數(shù)，N≥1。

10.一種存儲器電路，其特征在于，包括權(quán)利要求5至9任一權(quán)利要求所述的高壓產(chǎn)生電路和存儲器，所述第三ZMOS管的源極連接存儲器。