[發明專利]一種霍山石斛莖段快速繁殖方法

在審

• 申請號: 201510971810.6
• 申請日: 2015-12-18
• 公開（公告）號: CN105532457A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 萬繼銀;萬彬
• 申請（專利權）人: 安徽省霍山縣農伯樂開發有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種霍山石斛莖段快速繁殖方法，屬于植株培育技術領域。

背景技術

霍山石斛俗稱米斛，是蘭科石斛屬的草本植物，中國國家地理標志產品，主產于大別山 區的安徽省霍山縣，大多生長在云霧繚繞的懸崖峭壁崖石縫隙間和參天古樹上，生于山地林 中樹干上和山谷巖石上。霍山石斛能大幅度提高人體內SOD(延緩衰老的主要物質)水平， 對經常熬夜、用腦、煙酒過度，體虛乏力的人群，經常飲用非常適宜。霍山石斛有明目作用， 也能調和陰陽、壯陽補腎、養顏駐容，從而達到保健益壽的功效。

霍山石斛的生長條件極為苛刻，屬于國家瀕臨滅絕的珍稀名貴中藥材，是國家野生藥材 二級保護品種。在野生狀態下，霍山石斛繁殖速率低、生長緩慢，加之掠奪性采挖，使其野 生資源日益減少，遠遠不能滿足國內外市場經濟發展和臨床醫學的需要。石斛種苗價格昂貴， 導致栽培成本高，經濟效益低，這些問題長期困擾著石斛種植戶。霍山石斛的莖段是霍山石 斛的體細胞胚，具有和植株同樣的物質代謝和形態發育潛能，可用來代替原藥材生產相關的 活性物質。因此，研究高效、實惠的霍山石斛莖段的快速繁殖技術至關重要，這一舉措可實 現霍山石斛的規模化生產、緩解野生資源緊張的局面、滿足藥材市場的需求具有重要意義。

發明內容

本發明的目的在于：提供一種既能保持母體的優良性狀、又能實現快速繁殖的霍山石斛 莖段快速繁殖方法。

為了實現上述發明目的，本發明提供如下技術方案：

一種霍山石斛莖段快速繁殖方法，包括以下步驟：

(1)外植體的準備

將外植體用流水沖洗干凈，然后在無菌操作臺上用75％的酒精浸泡外植體30秒，再用 0.1％升汞溶液滅菌8～15分鐘，然后用無菌水沖洗3～5次，取無菌濾紙吸去外植體表面的水 分，在無菌條件下，切成至少帶一個莖節的莖段；

(2)誘導培養

將莖段接種于無菌的誘導培養基中，誘導培養基配方為：N6+2.5mg/L6-BA+0.75％瓊脂+ 3％蔗糖+8％椰汁+0.4％活性炭，pH值為5.4～5.9；培養條件為溫度25℃、光照時間12小時/ 天、光強度1200～1800Lux，培養30～35天后，莖段上長出小芽；

(3)增殖培養

將新芽轉接到芽增殖培養基中，芽增殖培養基的配方為：N6+2.5mg/L6-BA+1.5％瓊脂 +4％蔗糖+10％椰汁，pH值為5.4～5.8；培養條件為溫度25℃、光照時間12小時/天、光強度 1200～1800Lux，培養30～40天后，形成原球莖；將原球莖轉接于原球莖增殖培養基中，原球 莖增殖培養基的配方為：N6+1.5mg/L6-BA+1.2mg/LNAA+1.5％瓊脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+ 0.2％蛋白胨+10％椰汁+0.1％活性炭，培養條件為溫度25℃、光照時間12小時/天、光強度 1200～1800Lux，培養30～40天后，形成無根小苗；

(4)生根壯苗培養

將無根小苗轉接到生根壯苗培養中，生根壯苗培養基的配方為：N6+2.5mg/LNAA+1.5％ 瓊脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+10％土豆汁+0.2％蛋白胨+0.1％活性炭，培養條件為溫度25℃、光 照時間12小時/天、光強度1200～1800Lux，培養40～50天后出苗。

優選地，步驟(1)中，選擇品質優良、生長健壯、莖節明顯、無病蟲害的一年生霍山石 斛莖段為外植體。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

本發明提供了一種霍山石斛莖段快速繁殖方法，取材容易且不受季節限制，以芽生芽的 莖段培養方式，發生過程簡單，能較好的保持母本的生物學性狀，從而保證霍山石斛的藥用 價值；本繁殖方法簡單易行，解決了霍山石斛無性繁殖中外植體滅菌不充分，原球莖分化慢， 繁殖周期長，生產成本高等技術難題；本發明可在實際生產中進行，可為霍山石斛的種植發 展提供保障，具有較好的經濟效益和社會效益。

具體實施方式

下面對本發明的實施例作詳細說明，本實施例在以本發明技術方案為前提下進行實施， 給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本發明的保護范圍不限于下述的實施例。

實施例1

一種霍山石斛莖段快速繁殖方法，包括以下步驟：

(1)外植體的準備