[發明專利]一種霍山石斛莖段快速繁殖方法

在審

• 申請號: 201510971810.6
• 申請日: 2015-12-18
• 公開（公告）號: CN105532457A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 萬繼銀;萬彬
• 申請（專利權）人: 安徽省霍山縣農伯樂開發有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種霍山石斛莖段快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)外植體的準備

將外植體用流水沖洗干凈，然后在無菌操作臺上用75％的酒精浸泡外植體30秒，再用 0.1％升汞溶液滅菌8～15分鐘，然后用無菌水沖洗3～5次，取無菌濾紙吸去外植體表面的水 分，在無菌條件下，切成至少帶一個莖節的莖段；

(2)誘導培養

將莖段接種于無菌的誘導培養基中，誘導培養基配方為：N6+2.5mg/L6-BA+0.75％瓊脂+ 3％蔗糖+8％椰汁+0.4％活性炭，pH值為5.4～5.9；培養條件為溫度25℃、光照時間12小時/ 天、光強度1200～1800Lux，培養30～35天后，莖段上長出小芽；

(3)增殖培養

將新芽轉接到芽增殖培養基中，芽增殖培養基的配方為：N6+2.5mg/L6-BA+1.5％瓊脂 +4％蔗糖+10％椰汁，pH值為5.4～5.8；培養條件為溫度25℃、光照時間12小時/天、光強度 1200～1800Lux，培養30～40天后，形成原球莖；將原球莖轉接于原球莖增殖培養基中，原球 莖增殖培養基的配方為：N6+1.5mg/L6-BA+1.2mg/LNAA+1.5％瓊脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+ 0.2％蛋白胨+10％椰汁+0.1％活性炭，培養條件為溫度25℃、光照時間12小時/天、光強度 1200～1800Lux，培養30～40天后，形成無根小苗；

(4)生根壯苗培養

將無根小苗轉接到生根壯苗培養中，生根壯苗培養基的配方為：N6+2.5mg/LNAA+1.5％ 瓊脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+10％土豆汁+0.2％蛋白胨+0.1％活性炭，培養條件為溫度25℃、光 照時間12小時/天、光強度1200～1800Lux，培養40～50天后出苗。

2.根據權利要求1所述的霍山石斛莖段快速繁殖方法，其特征在于，所述步驟(1)中， 選擇品質優良、生長健壯、莖節明顯、無病蟲害的一年生霍山石斛莖段為外植體。