[發(fā)明專利]一種細菌計數(shù)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510971248.7
• 申請日: 2015-12-21
• 公開（公告）號: CN105445169B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設計）人: 鄒小波;李志華;黃曉瑋;石吉勇;周煦成;胡雪桃
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: G01N15/10
• 分類號: G01N15/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種細菌計數(shù)方法，其特征在于，包括以下步驟:

S1：利用電聚合法在玻碳電極表面制備聚苯胺/細菌復合薄膜，

1)標準菌懸液準備：

配制細菌培養(yǎng)液，高壓滅菌后接種適量菌種進行培養(yǎng)，將培養(yǎng)后所獲得菌液離心清洗，便得到標準菌懸液；

2)細菌在玻碳電極表面的固定：

所述玻碳電極進行預處理后，測定其循環(huán)伏安曲線，直至氧化-還原峰電位差降至80mV以內，將所述玻碳電極晾干；取所述標準菌懸液滴至玻碳電極表面后，經烘干即可將細菌固定在所述玻碳電極表面；

3)苯胺在電極表面的聚合：

將上述固定有細菌的玻碳電極置于含有苯胺的硫酸溶液中采用循環(huán)伏安法掃描，苯胺在玻碳電極表面聚合得到聚苯胺/細菌復合薄膜；

S2：繪制所述聚苯胺/細菌復合薄膜修飾電極標準曲線，

所述步驟S2具體包括以下步驟：

1)將步驟S1所得的標準菌懸液依次按梯度稀釋獲得不同濃度的菌懸液；

2)利用所獲得的不同濃度的菌懸液分別按照步驟S1所述在玻碳電極表面制備聚苯胺/細菌復合薄膜，蒸餾水漂洗后于0.1M H₂SO₄溶液中測定其循環(huán)伏安曲線，掃描速率為50mV/s，掃描的電壓范圍為–0.2～0.9V；

3)以細菌濃度對數(shù)為橫坐標，以2)中所得循環(huán)伏安曲線最高峰所對應的峰電流為縱坐標，繪制所述聚苯胺/細菌復合薄膜修飾電極標準曲線；

S3：根據(jù)所述步驟S2所得標準曲線測定待測菌液樣本的細菌濃度。

2.根據(jù)權利要求1所述的細菌計數(shù)方法，其特征在于，所述步驟S1中硫酸溶液為0.5M，苯胺為0.1M，循環(huán)伏安法掃描1～20圈，掃描速率為5～100mV/s，電壓下限為–0.6～0V，電壓上限為0.75～1.2V。

3.根據(jù)權利要求2所述的細菌計數(shù)方法，其特征在于，所述掃描圈數(shù)為10圈，所述掃描速率為50mV/s，所述掃描的電壓范圍為-0.2～0.9V。

4.根據(jù)權利要求1所述的細菌計數(shù)方法，其特征在于，所述步驟S3具體包括以下步驟：

1)利用待測菌懸液按照步驟S1所述在玻碳電極表面制備聚苯胺/細菌復合薄膜，按照步驟S2測定其循環(huán)伏安曲線；

2)確定循環(huán)伏安曲線的峰電流，根據(jù)步驟S2中所得聚苯胺/細菌復合薄膜修飾電極標準曲線計算其細菌濃度。