[發(fā)明專利]復(fù)合阻障層及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510970911.1
• 申請日: 2015-12-22
• 公開（公告）號: CN106847856A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林東穎;林昆蔚
• 申請（專利權(quán)）人: 財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 孫梵

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明是涉及一種阻障層結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是涉及一種復(fù)合阻障層及其制造方法。

【背景技術(shù)】

電子元件的阻水能力是影響電子元件使用壽命的重要關(guān)鍵。以有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器為例(如，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯示器)，一般OLED軟性面板顯示器所使用的基板為塑膠基板(如，PET與PES等)，但塑膠基板的阻水能力與阻氣能力差，若以塑膠基板作為OLED軟性面板顯示器的基板將難以防止水與氧滲透的問題。由于顯示器與發(fā)光元件中的高分子有機(jī)發(fā)光層及高活性電極材料(如Ca、Mg等)對水與氧的敏感度極高，因此當(dāng)大氣中的水與氧滲透塑膠基板時，會導(dǎo)致元件發(fā)生輝度降低、驅(qū)動電壓上升、暗點及短路等問題。因此，封裝技術(shù)的開發(fā)對電子元件技術(shù)而言極為重要。

目前，用于電子元件的封裝結(jié)構(gòu)，主要是以真空濺鍍法或是等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法制成的有機(jī)與無機(jī)多層復(fù)合材料作為封裝結(jié)構(gòu)中的阻障層，以達(dá)到阻水與阻氣的效果。然而，上述阻障層的制作方法在形成有機(jī)與無機(jī)多層堆迭結(jié)構(gòu)時需要使用多個不同腔體來進(jìn)行制作，而使得鍍制阻障層的制程時間和生產(chǎn)成本提高。

因此，如何在形成具有良好阻水能力與阻氣能力的阻障層同時，降低阻障層的制程時間與生產(chǎn)成本，是本領(lǐng)域研究人員極欲解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明提供一種復(fù)合阻障層，其具有良好的阻水能力與阻氣能力。

本發(fā)明提供一種復(fù)合阻障層的制造方法，其可有效地降低制程時間與生產(chǎn)成本。

本發(fā)明提供一種復(fù)合阻障層，包括堆迭設(shè)置的至少一層第一阻障層與至 少一層第二阻障層。第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結(jié)比例高于Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)比例。第二阻障層中的Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)比例高于Si-O-Si線狀鍵結(jié)比例。

依照本發(fā)明一實施例所述，在上述復(fù)合阻障層中，第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結(jié)與Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)的比值例如是1.2至6。

依照本發(fā)明一實施例所述，在上述復(fù)合阻障層中，第二阻障層中的Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)與Si-O-Si線狀鍵結(jié)的比值例如是2至20。

依照本發(fā)明一實施例所述，在上述復(fù)合阻障層中，復(fù)合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結(jié)還包括Si-O-Si籠狀鍵結(jié)。

依照本發(fā)明一實施例所述，在上述復(fù)合阻障層中，復(fù)合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結(jié)與Si-(CH₃)_x鍵結(jié)的比值例如是1至15。

依照本發(fā)明一實施例所述，上述復(fù)合阻障層可用于作為電子元件的封裝材料，其中復(fù)合阻障層中的第一阻障層例如是鄰接于電子元件。

依照本發(fā)明一實施例所述，上述電子元件例如是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器或電泳顯示器(Electro-Phoretic Display，EPD)。

依照本發(fā)明一實施例所述，上述電子元件的基板例如是塑膠基板。

依照本發(fā)明一實施例所述，上述塑膠基板的材料例如是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺(PI)或聚碳酸酯(PC)。

本發(fā)明提供一種復(fù)合阻障層的制造方法，包括下列步驟。以固定制程氣體比例提供氧化氣體與硅烷類前驅(qū)物。藉由電源所激發(fā)的等離子體使氧化氣體與硅烷類前驅(qū)物形成復(fù)合阻障層，在形成復(fù)合阻障層的過程中，將電源設(shè)定為具有多個不同的工作周期(duty cycle)。復(fù)合阻障層包括堆迭設(shè)置的至少一層第一阻障層與至少一層第二阻障層。第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結(jié)比例高于Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)比例。第二阻障層中的Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)比例高于Si-O-Si線狀鍵結(jié)比例。

依照本發(fā)明一實施例所述，在上述復(fù)合阻障層的制造方法中，氧化氣體例如是氧氣(O₂)或一氧化二氮(N₂O)。

依照本發(fā)明一實施例所述，在上述復(fù)合阻障層的制造方法中，硅烷類前驅(qū)物例如是六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)、原硅酸四乙酯(Tetraethyl orthosilicate，TEOS)或四甲基環(huán)四硅氧烷(tetramethylcyclotetrasiloxane，TMCTS)。

依照本發(fā)明一實施例所述，在上述復(fù)合阻障層的制造方法中，氧化氣體與硅烷類前驅(qū)物的固定制程氣體比例例如是2至10。

依照本發(fā)明一實施例所述，在上述復(fù)合阻障層的制造方法中，電源可采用脈沖電源。