[發(fā)明專利]復(fù)合阻障層及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510970911.1 | 申請日： | 2015-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN106847856A | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林東穎;林昆蔚 | 申請（專利權(quán)）人： | 財團法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人： | 孫梵 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復(fù)合 阻障 及其 制造 方法 | ||
1.一種復(fù)合阻障層，包括堆迭設(shè)置的至少一層第一阻障層與至少一層第二阻障層，其中
所述至少一層第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結(jié)比例高于Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)比例，
所述至少一層第二阻障層中的Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)比例高于Si-O-Si線狀鍵結(jié)比例。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合阻障層，其中所述至少一層第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結(jié)與Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)的比值為1.2至6。
3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合阻障層，其中所述至少一層第二阻障層中的Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)與Si-O-Si線狀鍵結(jié)的比值為2至20。
4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合阻障層，其中所述復(fù)合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結(jié)還包括Si-O-Si籠狀鍵結(jié)。
5.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合阻障層，其中所述復(fù)合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結(jié)與Si-(CH3)x鍵結(jié)的比值為1至15。
6.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合阻障層，其用于作為電子元件的封裝材料，其中所述復(fù)合阻障層中的所述第一阻障層鄰接于所述電子元件。
7.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合阻障層，其中所述電子元件包括有機發(fā)光二極管顯示器或電泳顯示器。
8.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合阻障層，其中所述電子元件的基板包括塑膠基板。
9.如權(quán)利要求8所述的復(fù)合阻障層，其中所述塑膠基板的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺或聚碳酸酯。
10.一種復(fù)合阻障層的制造方法，包括：
以固定制程氣體比例提供氧化氣體與硅烷類前驅(qū)物；以及
藉由電源所激發(fā)的等離子體使所述氧化氣體與所述硅烷類前驅(qū)物形成復(fù)合阻障層，在形成所述復(fù)合阻障層的過程中，將所述電源設(shè)定為具有多個不同的工作周期，其中所述復(fù)合阻障層包括堆迭設(shè)置的至少一層第一阻障層與至少一層第二阻障層，
所述至少一層第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結(jié)比例高于Si-O-Si網(wǎng)狀鍵 結(jié)比例，
所述至少一層第二阻障層中的Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)比例高于Si-O-Si線狀鍵結(jié)比例。
11.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述氧化氣體包括氧氣或一氧化二氮。
12.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述硅烷類前驅(qū)物包括六甲基二硅氧烷、四乙氧基硅烷或四甲基環(huán)硅氧烷。
13.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述氧化氣體與所述硅烷類前驅(qū)物的所述固定制程氣體比例為2至10。
14.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述電源包括脈沖電源。
15.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述工作周期分別為1％至99％。
16.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述工作周期的調(diào)整方式包括進行由小漸增的模式至少一次或進行由小漸增再漸減的模式至少一次。
17.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述至少一層第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結(jié)與Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)的比值為1.2至6。
18.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述至少一層第二阻障層中的Si-O-Si網(wǎng)狀鍵結(jié)與Si-O-Si線狀鍵結(jié)的比值為2至20。
19.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述復(fù)合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結(jié)還包括Si-O-Si籠狀鍵結(jié)。
20.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合阻障層的制造方法，其中所述復(fù)合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結(jié)與Si-(CH3)x鍵結(jié)的比值為1至15。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
