[發明專利]一種新型柵結構及其制造方法有效
| 申請號： | 201510969720.3 | 申請日： | 2015-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN105448967A | 公開（公告）日： | 2016-03-30 |
| 發明（設計）人： | 楊霏;鄭柳;王方方;朱韞暉;吳昊;王嘉銘 | 申請（專利權）人： | 國網智能電網研究院;國家電網公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種新型柵結構，其特征在于，所述柵結構包括同平面設置的具有電極引線的柵pad區域(11)，以柵pad區域(11)為中心的發射狀匯流條(12)和環狀匯流條(13)，所述發射狀匯流條(12)和所述環狀匯流條(13)與周圍元胞柵相連。
2.根據權利要求1所述的柵結構，其特征在于，所述發射狀匯流條(12)和所述環狀匯流條(13)的交點處與周圍元胞柵相連。
3.根據權利要求1所述的柵結構，其特征在于，所述發射狀匯流條(12)的寬度為1～1000μm，數量為2～1000個。
4.根據權利要求1所述的柵結構，其特征在于，所述環狀匯流條(13)的寬度為1～1000μm，數量為2～1000個，所述環的直徑為1～100000μm。
5.根據權利要求1所述的柵結構，其特征在于，所述柵pad區域(11)為多晶硅、單金屬層或復合金屬層。
6.根據權利要求1所述的柵結構，其特征在于，所述發射狀匯流條(12)由多晶硅、單金屬層或復合金屬層制備而成。
7.根據權利要求1所述的柵結構，其特征在于，所述環狀匯流條(13)由多晶硅、單金屬層或復合金屬層制備而成。
8.根據權利要求5-7任一項所述的柵結構，其特征在于，所述多晶硅為p型或n型的簡并摻雜多晶硅，所述金屬為選自Al、Ag、Cu、Ni、Ti和W中的一種或幾種組份的金屬。
9.一種權利要求1所述柵結構的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
1)在同一圖層上繪制所述柵pad區域(11)、所述發射狀匯流條(12)和所述環狀匯流條(13)的版圖；
2)制備所述柵pad區域(11)、所述發射狀匯流條(12)和所述環狀匯流條(13)的多晶硅層，并對其進行p型或n型的簡并摻雜；
3)于所述柵pad區域(11)上制備電極引線，隔離所述發射狀匯流條(12)和所述環狀匯流條(13)與源電極或其他通流電極。
10.根據權利要求9所述柵結構的制造方法，其特征在于，所述步驟2)為沉積制備所述柵pad區域(11)、所述發射狀匯流條(12)和所述環狀匯流條(13)的單金屬或復合金屬層。
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