[發(fā)明專利]一種基于延時(shí)單元的自恢復(fù)抗單粒子鎖存器結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510969497.2 | 申請日: | 2015-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN105577160A | 公開(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃正峰;王世超;梁華國;歐陽一鳴;易茂祥;魯迎春;閆愛斌;許曉琳 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | H03K19/003 | 分類號: | H03K19/003 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 230009 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 延時(shí) 單元 恢復(fù) 粒子 鎖存器 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,尤其涉及集成電路的抗輻射加固設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體為一種基于延時(shí)單元的自恢復(fù)抗單粒子鎖存器結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
隨著集成電路(IC)的不斷發(fā)展,工藝尺寸和電源電壓不斷降低,在IC設(shè)計(jì)中,提供更低的功耗和更高的性能的同時(shí),也對芯片的穩(wěn)定性提出了更高的要求。特別是在一些特殊環(huán)境如太空中等等,α粒子束以及中子等高能粒子束的撞擊,可能會誘發(fā)電路內(nèi)的單粒子效應(yīng)(SingleEventEffect,SEE),從而引起電路狀態(tài)發(fā)生錯(cuò)誤,嚴(yán)重時(shí)會導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行崩潰。
其中,單粒子翻轉(zhuǎn)(SingleEventUpset,SEU)和單粒子瞬態(tài)(SingleEventTransient,SET)是引起數(shù)字電路軟錯(cuò)誤的重要誘因。SEU主要指發(fā)生在諸如觸發(fā)器、存儲器以及寄存器等存儲單元中存儲狀態(tài)的翻轉(zhuǎn)引發(fā)電路軟錯(cuò)誤,而SET則主要是指發(fā)生在組合邏輯電路的節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生的瞬態(tài)故障脈沖,脈沖經(jīng)過組合邏輯路徑傳播,有可能被鎖存器或觸發(fā)器捕獲從而導(dǎo)致軟錯(cuò)誤的發(fā)生。
傳統(tǒng)的抗輻射加固技術(shù)主要集中于針對發(fā)生在存儲單元中的SEU,近年來有研究表明,隨著數(shù)字集成電路的時(shí)鐘頻率不斷上升,特征尺寸的不斷減小,SET脈沖的影響越來越占據(jù)了關(guān)鍵的地位。在較高頻率時(shí),由SET引發(fā)的故障占據(jù)了主要的地位,其原因在于,特征尺寸越來越小,導(dǎo)致節(jié)點(diǎn)電容降低使得組合邏輯的節(jié)點(diǎn)更容易受外部高能粒子影響產(chǎn)生瞬態(tài)故障脈沖,而不斷上升的時(shí)鐘頻率則意味著這些脈沖更加容易被鎖存器或觸發(fā)器所捕獲從而產(chǎn)生軟錯(cuò)誤。
為了降低電路的功耗開銷,許多電路設(shè)計(jì)都會使用門控時(shí)鐘技術(shù),通過關(guān)閉芯片上暫時(shí)用不到的功能,實(shí)現(xiàn)能量節(jié)省的目的。在門控時(shí)鐘電路中,時(shí)鐘長時(shí)間維持一個(gè)恒定的值,并且該時(shí)間間隔可能遠(yuǎn)大于一個(gè)時(shí)鐘周期。如果此時(shí)鎖存器的某個(gè)節(jié)點(diǎn)因?yàn)榱W愚Z擊而進(jìn)入高阻態(tài),那么該節(jié)點(diǎn)就會因?yàn)樾孤╇娏鞒?放電作用而逐漸跳變到錯(cuò)誤的邏輯狀態(tài),進(jìn)而引發(fā)軟錯(cuò)誤。大部分的傳統(tǒng)加固鎖存器設(shè)計(jì)采用了C單元電路來屏蔽軟錯(cuò)誤,當(dāng)粒子轟擊C單元電路的輸入時(shí),輸出節(jié)點(diǎn)很容易進(jìn)入高阻態(tài),進(jìn)而由于泄漏電流引發(fā)軟錯(cuò)誤。所以說這些鎖存器不具有自恢復(fù)功能,不能夠適用于門控時(shí)鐘電路。
因此,希望提出一種新型的加固鎖存器,能夠容忍鎖存器內(nèi)部發(fā)生的SEU以及從組合邏輯電路傳來的SET,還具有自恢復(fù)功能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種基于延時(shí)單元的自恢復(fù)抗單粒子鎖存器結(jié)構(gòu),該鎖存器結(jié)構(gòu)不但能夠容忍單粒子翻轉(zhuǎn),還能夠容忍單粒子瞬態(tài),避免了高能輻射粒子引發(fā)鎖存器數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)進(jìn)而導(dǎo)致電路失效的問題,極大地提高了電路的可靠性。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
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