[發明專利]支承裝置和包含它的襯底處理設備

有效

• 申請號: 201510964925.2
• 申請日: 2015-12-21
• 公開（公告）號: CN105762102B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 李元行;河剛來
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 石寶忠

提供了支承襯底的支承裝置的制造方法。所述制造方法包括：提供由非傳導材料制成并被構造成支承襯底的支承板，提供布置在所述支承板之下并由含有傳導材料的材料制成的底板，和在所述底板的頂表面上形成第一金屬膜并通過釬焊工藝將所述支承板與所述底板接合。

技術領域

本公開涉及襯底處理設備，更具體地，涉及利用等離子體的襯底處理設備。

背景技術

在制造半導體器件中，通過各種各樣的方法例如光刻、蝕刻、灰化、離子注入、薄膜沉積和洗滌，形成具有設計圖案的襯底。蝕刻法一般用于從在襯底上形成的膜除去特定的區域。蝕刻通常分類為干蝕刻和濕蝕刻。干蝕刻使用等離子體蝕刻設備實行。等離子體通常通過在腔室中形成電磁場而產生。運行這樣的電磁場來激發供應到所述腔室中的加工氣體成為等離子態。

等離子體是指離子、電子或原子團形成的離子型氣態。等離子體在很高的溫度、強電場或RF電磁場下產生。半導體器件制造與利用等離子體的蝕刻過程一起實行。蝕刻過程通過包含在等離子體中的離子型粒子碰撞襯底來實行。

靜電吸盤一般包括支承板和金屬體。所述支承板通過有機粘結劑例如硅或丙烯酸粘結劑與所述金屬體接合。然而，硅的耐熱性高但是熱阻低。因此，硅類即使對于襯底處理期間的生熱都是穩定的，但是不足以阻斷金屬體和支承板之間的熱傳遞。丙烯酸類熱阻高但是缺乏耐熱性。丙烯酸類有效阻止支承板和金屬體之間的熱損失，但是易受到襯底處理期間產生的熱的損害。

如上介紹，現今在襯底處理中使用的有機粘結劑不利于耐久并且對于由于靜電吸盤的熱波動導致的加工溫度上升是脆弱的，而且在高溫過程期間可以被熔化。

發明內容

本公開的方面是解決至少以上提到的問題和/或缺點和提供至少下面描述的優點。因此，本公開的一個方面是在用于襯底處理的靜電吸盤中提供具有高度耐熱性的支承裝置，其制造方法，和包括所述支承裝置的襯底處理設備。

本公開的另一個方面提供了能夠確保界面穩定性的支承裝置，其制造方法，和包括所述支承裝置的襯底處理設備，所述支承裝置在用于襯底處理的靜電吸盤中釬焊非傳導支承板與傳導復合材料底板。

本公開的又一個方面提供了支承裝置，其制造方法，和包括所述支承裝置的襯底處理設備，所述支撐裝置能夠防止由于傳導材料的缺陷導致的瑕疵同時在用于襯底處理的靜電吸盤中釬焊非傳導支承板與傳導復合材料底板。

根據本公開的一個方面，支承襯底的支承裝置的制造方法可以包括：提供由非傳導材料制成并被構造成支承所述襯底的支承板，提供布置在所述支承板之下并由含有傳導材料的材料制成的底板，和在所述底板的底表面上形成金屬膜并通過釬焊工藝將所述支承板與所述底板接合。

根據本公開的一個方面，支承襯底的支承裝置的制造方法可以包括：提供由非傳導材料制成并被構造成支承所述襯底的支承板，提供布置在所述支承板之下并由含有傳導材料的材料制成的底板，和在所述底板的頂表面上形成第一金屬膜并通過釬焊工藝將所述支承板與所述底板接合。

另外，所述制造方法還可以包括在所述釬焊工藝之前在所述支承板的底表面上沉積第二金屬膜，其由與第一金屬膜相同的材料制成。

另外，所述制造方法還可以包括通過作為金屬板的居間體將所述支承板與所述底板接合，用于緩沖熱膨脹。

另外，所述金屬板可以含有鋁(Al)并可以形成網狀物。

另外，所述制造方法還可以包括通過作為金屬填料的居間體將所述支承板與所述底板接合。

另外，所述金屬填料可以含有鋁(Al)。

另外，所述第一金屬膜和第二金屬膜可以含有鋁(Al)。

另外，所述制造方法還可以包括在沉積在所述支承板的底表面上的第三金屬膜上沉積所述第二金屬膜。