[發明專利]支承裝置和包含它的襯底處理設備

有效

• 申請號: 201510964925.2
• 申請日: 2015-12-21
• 公開（公告）號: CN105762102B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 李元行;河剛來
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 石寶忠

1.支承襯底的支承裝置的制造方法，所述制造方法包括：

提供由非傳導材料制成并被構造成支承所述襯底的支承板；

提供布置在所述支承板之下并由含有傳導材料的材料制成的底板；

在所述底板的頂表面上形成由鋁構成的第一金屬膜；

在所述支承板的底表面上沉積第二金屬膜，其由與第一金屬膜相同的材料構成；和

經由釬焊工藝通過對在所述支承板與所述底板之間提供的由鋁構成的作為金屬網的居間體進行加熱熔化來將所述支承板與所述底板接合，用于緩沖熱膨脹。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其還包括：

在沉積在所述支承板的底表面上的第三金屬膜上沉積所述第二金屬膜。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其中所述第三金屬膜含有鈦(Ti)。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其中所述底板具有其中添加劑與所述傳導材料混合的傳導復合材料，以最小化由于底板與支承板之間熱膨脹率的差異導致的熱應力，

其中所述傳導材料含有鋁(Al)，并且

其中所述添加劑含有碳化硅(SiC)、氧化鋁(Al₂O₃)、硅(Si)、石墨和玻璃纖維之一。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其中所述傳導復合材料含有10～40％的鋁(Al)。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其中所述底板包括通過釬焊工藝相互接合的上底板和下底板，

其中釬焊所述上底板和下底板的溫度高于釬焊所述底板和支承板的溫度。

7.支承裝置，其包括：

非傳導材料的支承板，所述支承板包括通過靜電力吸附襯底的電極；

布置在所述支承板之下的底板，所述底板與高頻電源連接，其具有由鋁構成的第一金屬膜在其上沉積的頂表面；和

接合部件，其介于所述支承板和所述底板之間并被構造成經由釬焊工藝通過對用作居間體的與所述第一金屬膜相同的材料的金屬網進行加熱熔化來形成以固定所述支承板和所述底板，

其中，所述支承板具有底表面，與所述第一金屬膜相同材料的第二金屬膜在其上沉積。

8.根據權利要求7所述的支承裝置，其中所述第二金屬膜在所述支承板的底表面上沉積的第三金屬膜中沉積，并且

其中所述第三金屬膜含有鈦(Ti)。

9.根據權利要求7所述的支承裝置，其中所述底板具有傳導復合材料，在所述傳導復合材料中碳化硅(SiC)、氧化鋁(Al₂O₃)、硅(Si)、石墨和玻璃纖維之一添加到作為傳導材料的鋁(Al)中，以最小化由于所述支承板與底板之間熱膨脹率的差異導致的熱應力，

其中所述傳導復合材料含有10～40％的所述傳導材料。

10.襯底處理設備，其包含：

被構造成具有處理空間的室；

放置在所述室中并被構造成支承襯底的支承裝置；

被構造成將加工氣體供應到所述處理空間中的氣體供應裝置；和

被構造成從所述加工氣體產生等離子體的等離子體源，

其中所述支承裝置包括：

與高頻電源連接并被構造成具有在其上沉積由鋁構成的第一金屬膜的頂表面的底板；

放置在所述底板上的非傳導支承板，所述非傳導支承板被構造成包括通過靜電力吸附所述襯底的電極、被構造成具有在其上沉積與所述第一金屬膜相同材料的第二金屬膜的底表面；和

介于所述底板和支承板之間并被構造成經由釬焊工藝通過加熱熔化來接合所述支承板與所述底板的與所述第一金屬膜相同材料的金屬網。

11.根據權利要求10所述的襯底處理設備，其中所述底板具有傳導復合材料，在所述傳導復合材料中碳化硅(SiC)、氧化鋁(Al₂O₃)、硅(Si)、石墨和玻璃纖維之一添加到作為傳導材料的鋁(Al)中，以最小化由于所述支承板與底板之間熱膨脹率的差異導致的熱應力，

其中所述傳導復合材料含有10～40％的所述傳導材料。