[發(fā)明專利]半導(dǎo)體堆疊封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510947251.5
• 申請日: 2015-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN105428251A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁萬春
• 申請（專利權(quán)）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435
• 代理人: 孟阿妮;郭棟梁

1.一種半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，包括：

在基板上表面形成金屬柱凸點(diǎn)，所述金屬柱凸點(diǎn)的上表面高于待裝載的第一芯片的上表面；

將所述第一芯片倒裝于所述基板的上表面；

在所述基板上表面形成第一塑封層，所述第一塑封層露出所述金屬柱凸點(diǎn)的頂部；

將第二芯片的功能區(qū)連接至所述金屬柱凸點(diǎn)；

在所述第一塑封層的上表面形成第二塑封層，所述第二塑封層包覆所述第二芯片；

在所述基板的下表面形成焊球或者可焊接膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，

所述金屬柱凸點(diǎn)包括第一金屬柱以及設(shè)置于所述第一金屬柱上表面的第二金屬柱。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，

所述第一金屬柱的高度大于所述第二金屬柱的高度，且所述第一金屬柱的上表面不低于所述第一芯片的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，

所述第一金屬柱的橫截面不小于所述第二金屬柱的橫截面。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，所述第二金屬柱的上表面為平面。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，所述第一金屬柱為銅柱或銅合金柱，所述第二金屬柱為錫柱或錫合金柱。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，

在所述基板上表面形成第一塑封層，所述第一塑封層包覆所述第一芯片和所述金屬柱凸點(diǎn)，所述第一塑封層的上表面高于所述金屬柱凸點(diǎn)的上表面；

對所述第一塑封層的上表面進(jìn)行打磨或蝕刻，露出所述第二金屬柱的部分高度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，

所述第二芯片的功能區(qū)為所述第二芯片的凸點(diǎn)；

將第二芯片的功能區(qū)連接至所述金屬柱凸點(diǎn)包括：以倒裝的方式將所述第二芯片的凸點(diǎn)與所述金屬柱凸點(diǎn)對應(yīng)連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，

在基板上表面形成金屬柱凸點(diǎn)之后，還在所述金屬柱凸點(diǎn)的上表面鍍錫保護(hù)劑；

將第二芯片的功能區(qū)連接至所述金屬柱凸點(diǎn)之前，去除所述金屬柱凸點(diǎn)上表面的所述錫保護(hù)劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體堆疊封裝方法，其特征在于，所述錫保護(hù)劑為有機(jī)或無機(jī)保焊膜。