[發(fā)明專(zhuān)利]具有凹進(jìn)區(qū)的近場(chǎng)換能器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510939861.0
• 申請(qǐng)日: 2015-11-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105590634B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳衛(wèi)斌;W·舒勒茨
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 希捷科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11B5/31
• 分類(lèi)號(hào): G11B5/31;G11B5/60
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

具有凹進(jìn)區(qū)的近場(chǎng)換能器位于或接近該裝置的空氣軸承表面，且配置為便于介質(zhì)上的熱輔助磁記錄。該近場(chǎng)換能器包括放大區(qū)，該放大區(qū)包括等離子體材料且具有接近該空氣軸承表面的第一端。該近場(chǎng)換能器還包括磁盤(pán)區(qū)，該磁盤(pán)區(qū)鄰近該放大區(qū)且具有鄰近該空氣軸承表面的第一端。該磁盤(pán)區(qū)包括等離子體材料。栓柱區(qū)從該磁盤(pán)區(qū)的第一端延伸且終止于或鄰近該空氣軸承表面。該近場(chǎng)換能器還包括相對(duì)于該栓柱區(qū)凹進(jìn)的區(qū)域。該凹進(jìn)區(qū)位于該栓柱區(qū)和該放大區(qū)的第一端之間。

相關(guān)專(zhuān)利文獻(xiàn)

本申請(qǐng)要求在2014年11月11日提交的臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)柕?2/078,064的權(quán)益，依據(jù)35 U.S.C§119(e)要求對(duì)其的優(yōu)先權(quán)，并且其通過(guò)引用整體結(jié)合在此。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施例涉及一種裝置，其包括位于或接近該裝置的空氣軸承表面且配置為便于在介質(zhì)上進(jìn)行熱輔助磁記錄的近場(chǎng)換能器。該近場(chǎng)換能器包括含有等離子體(plasmonic)材料且具有接近該空氣軸承表面的第一端的放大區(qū)。該近場(chǎng)換能器還包括鄰近該放大區(qū)且具有鄰近該空氣軸承表面的第一端的磁盤(pán)區(qū)。該磁盤(pán)區(qū)包括等離子體材料。栓柱(peg)區(qū)從該磁盤(pán)區(qū)的第一端延伸且終止于該空氣軸承表面處或附近。該近場(chǎng)換能器還包括相對(duì)于該栓柱區(qū)而凹進(jìn)的區(qū)域。該凹進(jìn)區(qū)位于該栓柱區(qū)和該放大區(qū)的第一端之間。

各種實(shí)施例涉及一種裝置，其包括位于或接近該裝置的空氣軸承表面且配置為便于在所包括的介質(zhì)上進(jìn)行熱輔助磁記錄的近場(chǎng)換能器。該近場(chǎng)換能器包括含有等離子體(plasmonic)材料且具有接近該空氣軸承表面的第一端以及與第一端相反的第二端的放大區(qū)。磁盤(pán)區(qū)，包括等離子體材料，位于鄰近該放大區(qū)處且具有接近該空氣軸承表面的第一端和與第一端相反的第二端。該磁盤(pán)區(qū)的第一端包括在該空氣軸承表面處或附近的突出部。栓柱區(qū)從該磁盤(pán)區(qū)的第一端的突出部延伸且終止于該空氣軸承表面處或附近。該近場(chǎng)換能器還包括相對(duì)于該栓柱區(qū)凹進(jìn)的區(qū)域。該凹進(jìn)區(qū)位于該栓柱區(qū)和該放大區(qū)的第一端之間。

其他實(shí)施例涉及一種裝置，其包括配置為便于在介質(zhì)上進(jìn)行熱輔助磁記錄的滑塊。該滑塊包括寫(xiě)入器、讀出器、光波導(dǎo)和接近該波導(dǎo)和寫(xiě)入器的近場(chǎng)換能器。該近場(chǎng)換能器包括具有朝向介質(zhì)面對(duì)方向的第一端和相反的第二端的放大區(qū)。該放大區(qū)包括等離子體材料。該近場(chǎng)換能器還包括磁盤(pán)區(qū)，其包括等離子體材料，鄰近該放大區(qū)，且具有朝向該介質(zhì)面對(duì)方向的第一端和相反的第二端。該磁盤(pán)區(qū)的第一端包括突出部。栓柱區(qū)從該磁盤(pán)區(qū)的第一端的突出部延伸且朝向該介質(zhì)面對(duì)方向。該近場(chǎng)換能器還包括相對(duì)于該栓柱區(qū)凹進(jìn)的區(qū)域。該凹進(jìn)區(qū)位于該栓柱區(qū)和該放大區(qū)的第一端之間。

以上發(fā)明內(nèi)容并不是旨在描述本公開(kāi)的每個(gè)所揭示的實(shí)施例或每個(gè)實(shí)施方式。下面的附圖和具體描述更具體地說(shuō)明示例性實(shí)施例。

附圖說(shuō)明

在下面的圖表中，相同的附圖標(biāo)記可用于標(biāo)識(shí)多個(gè)圖中相似/相同/類(lèi)以的組件。

圖1是根據(jù)代表性實(shí)施例的滑塊組件的透視圖；

圖2是根據(jù)代表性實(shí)施例的滑塊組件的橫截面圖；

圖3描述了具有傳統(tǒng)NTS(近場(chǎng)換能器球場(chǎng)(stadium)風(fēng)格)設(shè)計(jì)的近場(chǎng)換能器(NFT)；

圖4根據(jù)各種實(shí)施例描述了具有NTS設(shè)計(jì)的NFT；

圖5根據(jù)各種實(shí)施例描述了具有NTS設(shè)計(jì)的NFT；

圖6根據(jù)各種實(shí)施例描述了具有NTS設(shè)計(jì)的NFT；

圖7是根據(jù)各種實(shí)施例示出在由具有NTS設(shè)計(jì)的NFT生成的磁記錄介質(zhì)上的熱點(diǎn)的介質(zhì)熱分布；

圖8是根據(jù)各種實(shí)施例將熱梯度示出為栓柱厚度的函數(shù)的圖表；

圖9是根據(jù)各種實(shí)施例將栓柱溫度示出為栓柱厚度的函數(shù)的圖表；

圖10是根據(jù)各種實(shí)施例將效率示出為栓柱厚度的函數(shù)的圖表；

圖11是根據(jù)各種實(shí)施例將鄰近軌跡擦除示出為栓柱厚度的函數(shù)的圖表；