[發(fā)明專利]具有凹進區(qū)的近場換能器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510939861.0
• 申請日: 2015-11-10
• 公開（公告）號: CN105590634B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳衛(wèi)斌;W·舒勒茨
• 申請（專利權(quán)）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/31
• 分類號: G11B5/31;G11B5/60
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種用于磁記錄的裝置，包括：

近場換能器，位于或接近該裝置的空氣軸承表面且配置為便于介質(zhì)上的熱輔助磁記錄，包括：

放大區(qū)，包括等離子體材料且具有接近該空氣軸承表面的第一端和與第一端相反的第二端；

磁盤區(qū)，鄰近該放大區(qū)且具有鄰近該空氣軸承表面的第一端和與第一端相反的第二端，該磁盤區(qū)的第一端包括具有面向該空氣軸承表面的終點的第一端部分和在該第一端部分下方延伸并超過該第一端部分并且終止于或鄰近該空氣軸承表面的突出部，該磁盤區(qū)包括等離子體材料；

栓柱區(qū)，從該磁盤區(qū)的第一端的突出部延伸且終止于或鄰近該空氣軸承表面；以及

相對于該栓柱區(qū)凹進的區(qū)域，凹進區(qū)位于該栓柱區(qū)和該放大區(qū)的第一端之間。

2.如權(quán)利要求1的裝置，其中：

該凹進區(qū)包括一端表面；以及

該放大區(qū)的第一端延伸超過該凹進區(qū)的端表面。

3.如權(quán)利要求1的裝置，其中：

該凹進區(qū)包括一端表面；以及

該放大區(qū)的第一端大體上與該凹進區(qū)的端表面同延。

4.如權(quán)利要求1的裝置，還包括：

中磁盤區(qū)，具有第一端和相反的第二端，該中磁盤區(qū)位于該磁盤區(qū)和該放大區(qū)之間，該中磁盤區(qū)的第二端定義了該凹進區(qū)的端表面；

其中，該中磁盤區(qū)的第二端延伸超過該放大區(qū)的第二端。

5.如權(quán)利要求4的裝置，其中該中磁盤區(qū)的第二端延伸超過該放大區(qū)的第二端約50至150nm。

6.如權(quán)利要求1的裝置，其中：

該放大區(qū)包括第一平表面和朝向與該第一平表面為非平行關(guān)系的相反的第二平表面；以及

該第一平表面鄰近該磁盤區(qū)。

7.如權(quán)利要求1的裝置，其中該放大區(qū)具有通常其主軸朝向該空氣軸承表面的橢圓形。

8.如權(quán)利要求1的裝置，其中該凹進區(qū)相對于該空氣軸承表面凹進約50至200nm之間。

9.如權(quán)利要求1的裝置，其中該栓柱區(qū)具有約30和100nm之間的厚度。

10.如權(quán)利要求1的裝置，其中相對于缺少該凹進區(qū)的近場換能器，該凹進區(qū)利于在栓柱區(qū)處的約30％和40％之間的熱梯度的增長。

11.如權(quán)利要求10的裝置，其中熱梯度的增長是在沒有可感知的栓柱區(qū)溫度的增加的情況下實現(xiàn)的。

12.如權(quán)利要求1的裝置，其中該放大區(qū)被配置為用作該近場換能器的散熱片。

13.一種用于磁記錄的裝置，包括：

滑塊，配置為利于介質(zhì)上的熱輔助磁記錄，包括；

寫入器；

讀出器；

光波導(dǎo)；以及

接近該波導(dǎo)和該寫入器的近場換能器，該近場換能器包括：

放大區(qū)，具有朝向介質(zhì)面對方向的第一端和相反的第二端，該放大區(qū)包括等離子體材料；

磁盤區(qū)，鄰近該放大區(qū)且具有朝向該介質(zhì)面對方向的第一端和相反的第二端，該磁盤區(qū)的第一端包括具有朝向該介質(zhì)面對方向的終點的第一端部分和在該第一端部分下方延伸并超過該第一端部分的突出部，該磁盤區(qū)包括等離子體材料；

栓柱區(qū)，從該磁盤區(qū)的第一端的突出部延伸且朝向該介質(zhì)面對方向；以及

相對于該栓柱區(qū)凹進的區(qū)域，凹進區(qū)位于該栓柱區(qū)和該放大區(qū)的第一端之間。

14.如權(quán)利要求13的裝置，其中：

該凹進區(qū)包括一端表面；以及

該放大區(qū)的第一端延伸超過該凹進區(qū)的端表面。

15.如權(quán)利要求13的裝置，其中：

該凹進區(qū)包括一端表面；以及

該放大區(qū)的第一端大體上與該凹進區(qū)的端表面同延。